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| ブランド名: | zmkj |
| 型番: | 2インチINPウエファー |
| MOQ: | 3PCS |
| 価格: | by case |
| パッケージの詳細: | 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの容器のパッケージ |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン |
2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されるS+/Zn+ /Fe +
成長（変更されたVFG方法）が種から始まってencapsulantホウ素の酸化物の液体を通して単結晶を引っ張るのに使用されている。
添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられる。高圧は部屋の中でインジウムPhosphide.heの会社の分解を防ぐために開発した十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを適用される。
VFGの技術は数に関連して熱バッフルの技術のおかげでLEC方法に改良する
熱成長の状態の模倣。tCZはbouleからのbouleへ良質の再現性の費用効果が大きい成長した技術である。
特徴:
1。水晶は成長した技術および安定した電気性能の液体密封されたまっすぐデッサンの技術（LEC）によって、育つ。
精密なオリエンテーションのためのX線の方向器械を使用して2つは、水晶オリエンテーションの偏差±0.5°だけである
3つは化学機械磨く（CMP）技術によって、ウエファー、表面の粗さ磨かれる <0>
4、「開いた箱使用可能な」の条件を達成するため
5、ユーザーの要求に従って、特別な指定プロダクト処理
適用:
IItに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路のために適した。
2inch S-C-N/SはINPウエファーを添加した
2inch S-C-N/Fe+はINPウエファーを添加した
---FAQ –
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。
