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詳細情報 |
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| 材料: | SiCの単結晶4h-N | グレード: | 生産品種 |
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| Thicnkss: | 2mmまたは0.5mm | Suraface: | DSP |
| 適用する: | エピタキシアル | 直径: | 4inch |
| 色: | 色のないもの | MPD: | <1cm-2 |
| ハイライト: | カーボランダムのシリコンの薄片,模造の等級のシリコンの薄片,DSPのモノクリスタル シリコンの薄片 |
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製品の説明
カスタムサイズ/2インチ/3インチ/4インチ/6インチ 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SICインゴット/高純度 4H-N 4インチ 6インチ直径 150mm シリコンカービード単体
4インチ6インチ6インチ4インチ半シックウエファー
シリコンカービッド (SiC) クリスタルについて
シリコンカービッド (SiC) は,カーボリンダムとしても知られており,化学式SiCを持つシリコンと炭素を含む半導体である.SiC は,高温または高電圧で動作する半導体電子機器で使用されますSiCはLEDの重要な構成要素の一つであり,GaN装置を育てるための人気のある基板であり,高功率LEDの熱分散器としても機能する.
| 資産 | 4H-SiC シングルクリスタル | 6H-SiC シングルクリスタル |
| 格子パラメータ | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 積み重ねの順序 | ABCB | ABCACB |
| モース硬さ | ≈92 | ≈92 |
| 密度 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 熱 膨張係数 | 4〜5×10〜6/K | 4〜5×10〜6/K |
| 屈折指数 @750nm |
2 は 2 です.61 |
2 は 2 です.60 |
| ダイレクトリ常数 | c~966 | c~966 |
| 熱伝導性 (N型,0.02オム/cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性 (半絶縁) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| バンドギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 断裂する電場 | 3〜5×106V/cm | 3〜5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N 4インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様
| 2インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様 | ||||||||||
| グレード | MPDグレードはゼロ | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||||
| 直径 | 100. mm±0.38mm 150±0.5mm | |||||||||
| 厚さ | 500±25mm または他のカスタマイズされた厚さ | |||||||||
| ウェファーの方向性 | 軸外: 4H-N/4H-SI の場合は <1120> ±0.5° 6H-N/6H-SI の場合は <0001> ±0.5° | |||||||||
| マイクロパイプ密度 | ≤0.4cm-2 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ||||||
| 耐性 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| 主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 主要平面長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平面長さ | 10.0mm±2.0mm | |||||||||
| 二次的な平面方向性 | シリコンが上向き: プライムフラットから90°CW ±5.0° | |||||||||
| エッジ除外 | 1mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランド Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高強度の光による裂け目 | ない | 1 は許容され, ≤2 mm | 累積長 ≤ 10mm,単一の長 ≤ 2mm | |||||||
| 高強度光によるヘックスプレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤3% | |||||||
| 高強度光による多型エリア | ない | 累積面積 ≤2% | 累積面積 ≤5% | |||||||
| 高強度の光による傷 | 3 傷 1 × ワッフル直径の累積長 | 円盤直径の累積長に 5 割れ | 円盤直径の累積長に 5 割れ | |||||||
| エッジチップ | ない | 容量 ≤0.5mm | 容量5個,それぞれ ≤1mm | |||||||
生産展示ショー
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4H-N型/高純度SiCウエファー/インゴット
2インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット
3インチ4H型N型SiCウエファー 4インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット 6インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット |
4H 半断熱/高純度SiCウエーファー 2インチ4H 半絶縁型シシクワフラー
3インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 4インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 6インチ4H 半絶縁型シリコン・ウェーバー |
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6H N型 SiCウエーファー
2インチ 6H N型 SiCウエファー/インゴット |
2-6インチのカスタムサイズ
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SiC 応用
応用分野
- 1 高周波および高電力電子装置 ショットキーダイオード,JFET,BJT,PiN
- ディオード,IGBT,MOSFET
- 2 光電子装置: 主にGaN/SiCブルーLED基板材料 (GaN/SiC) のLEDで使用
1.高性能 の 電子 機器
優れた熱伝導性,高断熱電圧,広い帯域差により,6N純度非ドーピングHPSI SiCウエファは高電力電子機器に理想的です.ダイオードなどの電源電子機器で使用できます電気自動車,再生可能エネルギーシステム,電力網管理などのアプリケーションのためのMOSFETsとIGBTsで,効率的な電力変換とエネルギー損失を減らすことができます.
2.ラジオ周波数 (RF) とマイクロ波装置
HPSI SiCウエファは,特に電信,レーダー,衛星通信システムで使用されるRFおよびマイクロ波装置にとって不可欠です.半隔離性があるため,寄生体容量を減少させ,高周波の性能を向上させる.ワイヤレス通信や防衛技術における RF 増幅機,スイッチ,振動器に適しています
3.光電子機器
SiCウエファは,UV検出器,LED,レーザーを含む光電子アプリケーションでますます使用されています.この装置の性能を向上させる優れた材料特性を提供します医療診断,軍事機器,産業センサーなどに応用されている.
4.厳しい環境のための広帯域半導体
SiCウエファは,極端な温度や高放射線環境で機能する能力で知られています.これらの特性により,6N純度SiCウエファは,航空宇宙,自動車,防衛産業宇宙船や高温エンジンや原子炉など 厳しい条件下で 装置が動作する必要がある場合
5.研究開発
このタイプのSiCウエファは,偽型プライムグレードウエファーとして,試験および校正目的のために研究開発環境で使用されています.高度な純度と磨かれた表面は,半導体製造におけるプロセスを検証するのに理想的です活性ドーピングを必要とせずに新しい半導体装置を開発しています 材料科学の研究のための学術および産業研究室で頻繁に使用されています装置物理学半導体工学です
6.高周波スイッチ装置
SiCウエファは,電源管理システムでのアプリケーションのための高周波スイッチ装置で一般的に使用されます.幅広く帯域を隔離し,半絶縁性があるため,低電力損失で高速スイッチ速度に対応するのに非常に効率的です.インバーター,コンバーター,不中断電源 (UPS) などのシステムにおいて重要です.
7.ウェーファーレベルパッケージングとMEMS
SiCウエファのDSP表面は,ウエファレベルのパッケージとマイクロ電気機械システム (MEMS) に精密な統合を可能にします.高解像度パターニングとエッチングのために非常に滑らかな表面を必要とします.MEMSデバイスは,一般的にセンサー,アクチュエーター,および自動車,医療,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,技術,消費電子機器のアプリケーション.
8.量子コンピューティングと高度な電子
量子コンピューティングや次世代の半導体デバイスなどの最先端アプリケーションでは,HPSI SiCウエファは量子デバイスの構築に 安定した高度な純粋なプラットフォームとして機能します高度の純度と半絶縁性により クビットやその他の量子部品を 収容するのに理想的な材料となります.
6N純度DSP表面,HPSI ダミープライムグレード SiCウエファは光電子機器高度な純度で半絶縁性がある要求された環境で優れたパフォーマンスを可能にし,産業と学術研究の両方の進歩に貢献します.
>包装 物流
包装の細部をすべて取り扱います 清掃,防静止,ショック処理
商品の量と形状に応じて,私たちは異なるパッケージングプロセスをします! ほぼ単一のウェッファーカセットまたは25pcsカセットで100グレードのクリーニングルーム.
量によって