12インチのサファイアのウエファーのサファイアの窓の基質Dia 300mm Cの平らな水晶ウエファーBF33

1. サファイアに高い光学伝送がある、従ってマイクロエレクトロニック管の誘電材料、超音波伝導の要素、導波管レーザー キャビティおよび赤外線軍装置、宇宙船、高輝度のレーザーおよび光通信のための窓材料として他の光学要素として広く利用されている。

2. サファイアに高い剛性率、高力、高い働く温度、摩耗抵抗、耐食性の特徴、そうサファイアの基質が粗い環境で頻繁に使用される、ボイラー水位計（高温抵抗）のような、商品のバードード・スキャナー、軸受けおよび他の精密製造業（耐久性）、石炭、ガス、健康な検出センサーおよび探知器の窓ある（anti-corrosion）。

3. サファイアに電気絶縁材、透明物、よい熱伝導性および高い剛性率の特徴がある、従って集積回路の基質材料としてultra-high-speed集積回路、LEDおよびマイクロエレクトロニック回路のような使用することができる。

• 優秀なサファイアのウエファー

  • 99.999%の高い純度の単結晶のAl2O3材料。

  • 安価でAl2O3基質の性能を保障する特別なCMP （化学機械ポーランド語）の技術。

  • すべてのオリエンテーション（より少しにより0.2 nm、より少しにより0.5 nm、M平面、R平面、N平面、V平面、10-14、平面のためのC平面のための等）の優秀な表面質

  • 18MΩ *cmの上の質とultrapure水によってクラス100のクリーンルームできれいにされる。

  • パック25 PCはか単一のパック研究の顧客の柔軟性を最大にして利用できる。

  • たどることができるプロダクト通し番号。

  • より安全な船積みおよび費用節約のために包む密集したカートン。

  • 標準的なウエファーは速い配達を保障する在庫に一般にある。

   

  サファイアの塗布

   

  • 1. 半導体LEDの企業（MOCVDエピタキシアルGaNの基質）
  • 一般に、C平面のサファイアはこの区域で必要である。R平面かM平面は冷光の効率を改善する無極性/semi-polar平面のエピタキシアル層に育つ主にのが常であった。
  • 2. III-VまたはII-VIの化合物半導体の成長。
  • 3. マイクロエレクトロニックICの適用特に非常に高速集積回路、SOS
  • 通常、それはR平面のサファイアのケイ素のheteroepitaxial沈殿である。
  • 4. 雑種のマイクロエレクトロニクス
  • 雑種のマイクロエレクトロニクス プロダクトは主にHICおよびMCMである。安定した比誘電率および低い誘電性損失のようなサファイアの基質の特徴はサファイアのウエファーにHICのための最も一般的な基質およびMCMのための主要な基質をするが、それに基質の高い条件がある。通常、平面のサファイアのウエファーは必要である。