詳細情報 |
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材料: | 水晶ゲルマニウム | オリエンテーション: | 100/110 |
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サイズ: | 2インチ | 厚さ: | 325um |
添加される: | NタイプのSb添加されるか、またはGa添加される | 表面: | SSP |
TTV: | 《10um | 抵抗: | 1-10ohm.cm |
MOQ: | 10PCS | 適用: | 赤外線バンド |
ハイライト: | SSPのゲルマニウムの半導体の基質,赤外線バンドGEのウエファー,半導体の基質2インチ |
製品の説明
2inch Nタイプの単一の側面は赤外線二酸化炭素のレーザーのためのGEのウエファーのゲルマニウムの基質GEの窓を磨いた
直径:25.4mmの厚さ:0.325mm
上海有名な貿易Co。株式会社提供2"、3"、4"、およびVGF/LECによって育つGEのウエファーのために短い6"ゲルマニウムのウエファー。軽く添加されたPおよびNタイプのゲルマニウムのウエファーはまたホール効果素子実験に使用することができる。室温で、結晶のゲルマニウムは壊れやすく、少し可塑性がある。ゲルマニウムに半導体の特性がある。高純度のゲルマニウムは三価要素と(インジウム、ガリウムおよびほう素のような) Pタイプのゲルマニウムの半導体を得るために添加される;Nタイプのゲルマニウムの半導体を得るためにそして五価の要素は(アンチモン、ヒ素およびリンのような)添加される。ゲルマニウムに高い電子移動度および高い正孔移動度のようなよい半導体の特性が、ある。
ゲルマニウムのウエファー プロセス
科学技術の進歩によって、ゲルマニウムのウエファーの製造業者の加工の技巧はますます成長している。ゲルマニウムのウエファーの生産では、残余の処理からのゲルマニウムの二酸化物は塩素処理および加水分解のステップで更に浄化される。
1) 高純度のゲルマニウムは地帯の精錬の間に得られる。
2)ゲルマニウムの水晶はCzochralskiプロセスによって作り出される。
3)ゲルマニウムのウエファーはステップを切り、ひき、そしてエッチングする複数によって製造される。
4)ウエファーはきれいになり、点検される。このプロセスの間に、ウエファーは磨かれる単一側であるまたは注文条件に従って磨かれる二重側はepi準備ができたウエファー来る。
5)薄いゲルマニウムのウエファーは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器で、詰まる。
ゲルマニウムの適用:
ゲルマニウムのブランクか窓は商業保証、消火活動および産業モニター装置のために夜間視界およびthermographicイメージ投射解決で使用される。また、それらは遠隔温度の測定のために分析的な、測定装置、窓、およびレーザーのためにミラーのためにフィルターとして使用される。
薄いゲルマニウムの基質は長いパスSWIRフィルター塗布のためにIII-Vの三重接続点の太陽電池でそして力によって集中されるPV (CPV)システムのためにそして光フィルタの基質として使用される。
ゲルマニウムのウエファーの概要の特性
一般的な特性は構成する | 、= 5.6754 Å立方 | ||
密度:5.765 g/cm3 | |||
融点:937.4 oc | |||
熱伝導性:640 | |||
結晶成長の技術 | Czochralski | ||
利用できる添加 | Undoped | Sbの添加 | 添加またはGa |
伝導性のタイプ | / | N | P |
抵抗、ohm.cm | >35 | < 0=""> | 0.05 – 0.1 |
EPD | < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> |
< 5=""> | < 5=""> | < 5=""> |
プロダクト細部:
mpurityのレベルより少なくより10 ³ atoms/cmの³
材料: GE
成長: cz
等級: 主な等級
タイプ/添加物:undopedタイプN
オリエンテーション:[100] ±0,3º
直径:25.4 mm ±0,2 mm
厚さ:325 µm ±15のµm
平たい箱:32のmm ±2 mm @ [110] ±1º
抵抗:55-65 Ohm.cm
EPD: < 5000="">
前側:磨かれる(epi準備ができた、RAの <0>
裏側:ひかれる/エッチングされる
TTV: <10>
粒子:0.3
レーザーの印が付いていること:どれも
包装:単一のウエファー
Q1. 工場であるか。