詳細情報 |
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基質: | メタライゼーションを用いるサファイアのウエファー | 層: | サファイアの型板 |
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層の厚さ: | 1-5um | 伝導性のタイプ: | N/P |
オリエンテーション: | 0001 | 適用: | 高い発電/高周波電子デバイス |
適用2: | 5G saw/BAW装置 | ケイ素の厚さ: | 525um/625um/725um |
ハイライト: | サファイアのウエファーのサーキット ボード,メタライゼーションのサファイアのウエファー,サファイアの半導体の基質 |
製品の説明
2inch 4inch 4"はサファイアの基質にサファイアGaNの型板のGaNのフィルムを基づかせていた
GaNの化学特性
1) 室温で、GaNは水、酸およびアルカリで不溶解性である。
2)非常に遅い率で熱いアルカリ解決で分解される。
3) NaOH、H2SO4およびH3PO4はこれらの低質のGaNの結晶の欠陥の検出に使用することができるすぐにGaNの低質を腐食できる。
4) 高温のHCLまたは水素のGaNは、不安定な特徴を示す。
5) GaNは窒素の下に最も安定している。
GaNの電気特性
1) GaNの電気特性は装置に影響を与える重要な要因である。
2) 添加無しのGaNはすべての場合のnであり、最もよいサンプルの電子集中は4* (10^16)について/c㎡あった。
3) 通常、準備されたPのサンプルは非常に償われる。
GaNの光学的性質
1) 高い帯域幅(2.3~6.2eV)の広いバンド ギャップの化合物半導体材料は、すみれ色赤い黄色緑を、青いカバー、でき、紫外スペクトルは、これまでのところ他のどの半導体材料も達成してないことである。
2) 青およびすみれ色の発光装置で主に使用されて。
GaNの文書の特性
1) 高周波特性は300G Hzで、着く。(Siは10Gである及びGaAsは80Gである)
2) 300℃の高温特性、正常な仕事、非常に適した宇宙航空の、軍および他の高温度の環境のために。
3) 電子漂流に高い飽和速度、低い比誘電率およびよい熱伝導性がある。
4) 酸およびアルカリの抵抗、耐食性は粗い環境で、使用することができる。
5) 高圧特徴、耐衝撃性、高い信頼性。
6) 大きい国は、通信設備非常に熱望している。
GaNの主要な使用法:
1) 発光ダイオード、LED
2) 電界効果トランジスタ、FET
3) 半導体レーザー、LD
他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定
GaN/のAlの₂ Oの₃の基質(4") 4inch | |||
項目 | Un-doped | Nタイプ |
高添加される Nタイプ |
サイズ(mm) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
基質の構造 | サファイア(0001)のGaN | ||
SurfaceFinished | (標準:SSPの選択:DSP) | ||
厚さ(μm) | 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる | ||
伝導のタイプ | Un-doped | Nタイプ | 高添加されたNタイプ |
抵抗(Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
GaNの厚さの均等性 |
≤±10% (4") | ||
転位密度(cm-2) |
≤5×108 | ||
使用可能な表面積 | >90% | ||
パッケージ | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 |
結晶構造 |
ウルツ鉱 |
格子定数(Å) | a=3.112、c=4.982 |
伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
密度(g/cm3) | 3.23 |
表面のmicrohardness (Knoopテスト) | 800 |
融点(℃) | 2750 (N2の10-100棒) |
熱伝導性(W/m·K) | 320 |
バンド ギャップ エネルギー(eV) | 6.28 |
電子移動度(V·s/cm2) | 1100 |
電気故障分野(MV/cm) | 11.7 |