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詳細情報 |
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| 材料: | インジウムのヒ化物（InAs）のモノクリスタル水晶 | 成長方法: | vFG |
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| サイズ: | 2-4INCH | 厚さ: | 300-800um |
| 適用: | III-Vの直接bandgapの半導体材料 | 表面: | ssp/dsp |
| パッケージ: | 単一のウエファー箱 | ||
| ハイライト: | モノクリスタルの半導体の基質,単結晶のリン化インジウムのウエファー,半導体のInAsの基質 |
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製品の説明
半導体のための2-4inchガリウム アンチモン化物のGaSbの基質の単結晶のモノクリスタル
インジウムのヒ化物のInAsの基質の単結晶のモノクリスタルの半導体の基質
単結晶の半導体の基質のインジウムのヒ化物のInAsのウエファー
InAsの基質
| 製品名 | インジウムのヒ化物（InAs）の水晶 |
| 製品仕様書 |
成長方法:CZ 水晶オリエンテーション: <100> 伝導性のタイプ:Nタイプ タイプの添加:undoped キャリア集中:2 | 5E16/cm 3 移動性:>対18500cm 2/ 共通の指定次元:dia4 「× 0.45 1sp |
| 標準パッケージ | 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱 |
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成長
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LEC
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直径
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2/2インチ
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厚さ
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500-625 um
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オリエンテーション
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<100> / <111> / <110> または他
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オリエンテーションを離れて
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2°への10°を離れて
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表面
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SSP/DSP
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平らな選択
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EJまたは半。Std.
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TTV
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<>
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EPD
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<>
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等級
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Epiは等級/機械等級を磨いた
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パッケージ
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パッケージ
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利用できる添加物
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S / Zn/Undoped
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タイプの伝導性
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N / P
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集中
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1E17 - 5E18 cm3
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移動性
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100 | 25000のcm2/v.s。
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InAsSb/In-AsPSb、InNAsSbおよび他のヘテロ接合材料は基質としてInAsの単結晶で育て2から14 μmの波長の赤外線発光装置は製造することができる。AlGaSbの超格子の構造材料はまたInAsの単結晶の基質の使用によってエピタクシー的に育てることができる。中間赤外線量の滝レーザー。これらの赤外線装置にさらにガスの監視、低損失繊維コミュニケーション、等の分野でよい適用見通しがある、InAsの単結晶に高い電子移動度があり、ホール装置を作るための理想的な材料である。
特徴:
1。水晶は成長した技術および安定した電気性能の液体密封されたまっすぐデッサンの技術（LEC）によって、育つ。
精密なオリエンテーションのためのX線の方向器械を使用して2つは、水晶オリエンテーションの偏差±0.5°だけである
3つは化学機械磨く（CMP）技術によって、ウエファー、表面の粗さ4 <0>
、「開いた箱使用可能な」の条件を達成するために磨かれる
5、ユーザーの要求に従って、特別な指定プロダクト処理
| 水晶 | ドープ塗料 | タイプ |
イオン キャリア集中 cm3 |
移動性（cm2/V.s） | MPD （cm-2） | サイズ | |
| InAs | 非ドープ塗料 | N | 5*1016 | ³ 2*104 | <5> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| InAs | Sn | N | （5-20） *1017 | >2000年 | <5> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| InAs | Zn | P | （1-20） *1017 | 100-300 | <5> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| InAs | S | N | （1-10） *1017 | >2000年 | <5> |
Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm |
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| サイズ（mm） | Dia50.8x0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mmはカスタマイズすることができる | ||||||
| RA | 表面の粗さ（RA）:<> | ||||||
| 光沢 | 単一または倍磨かれる味方しなさい | ||||||
| パッケージ | 1000年のクリーン ルームのポリ袋をきれいにする100等級 | ||||||
---FAQ –
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:zmkjは商事会社ですが、サファイアの製造業者がある
適用の広いスパンのための半導体材料のウエファーの製造者として。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。