|
詳細情報 |
|||
| 材料: | SiC単結晶 | 硬度: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| 形: | カスタマイズされる | 許容: | ±0.1mm |
| 適用: | 種のウエファー、反射器 | タイプ: | 4h-n |
| 直径: | 4inch 6inch 8inch | 厚さ: | 5-15mmのok |
| 抵抗: | 0.015~0.028ohm.cm | 色: | 茶緑の色 |
| ハイライト: | 6inch炭化ケイ素のウエファー,産業SiCのウエファー,4H-Semi炭化ケイ素のウエファー |
||
製品の説明
良質のシリコン・オン・インシュレータのウエファーSICの炭化ケイ素のウエファーは光学反射器が良質Dia.500mmを銀めっきした球形の反射器の金属の光学反射器2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質のウエファーをカスタマイズした良質の高精度Dia.700mm Sicの球面鏡の金属をカスタマイズした、
|
製品名
|
金属の平面鏡
|
|
材料
|
モノクリスタル ケイ素
|
|
直径
|
500mm
|
|
表面質
|
60-40
|
|
表面の正確さ
|
PV:1/4のLambda; RMS:1/30のLambda
|
|
コーティング
|
Reflectivity>90% コーティングのフィルム:@200-1100nm
|
|
適用
|
反映システム
|
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
|
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
|
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット |
2-6inchのためのCustomziedのサイズ
|
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまたの1つである半導体の電子工学装置で使用される
重要なLEDの部品、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力の熱拡散機として役立つ
LEDs.
| 特性 | 単位 | ケイ素 | SiC | GaN |
| Bandgapの幅 | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| 故障分野 | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| 電子移動度 | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| 漂流のvalocity | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
| 熱伝導性 | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
FAQ:
Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。
:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れる。
（2）それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができればうまくあなた自身の明白な記述があればである、
貨物は実際の解決に従ってある。
Q:支払う方法か。
:配達の前のT/T 100%の沈殿物。
Q:あなたのMOQは何であるか。
:（1）目録のための、MOQは1pcsである。2-5pcsがそれよりよければ。
（2）カスタマイズされた共通プロダクトのための、MOQは10pcsである。
Q:受渡し時間は何であるか。
:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達はあなたの後の2 -4週順序の接触である。
Q:標準的なプロダクトがあるか。
:在庫の私達の標準的なプロダクト。同様な基質4inch 0.35mmとして。