サファイア・ウェーファー 6インチ DSP SSP C-plane (0001) 99,999% 高純度 モノクリスタルアル2O3 LED

サファイア・ウェーファー 6インチ DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% 高純度 モノクリスタルアル2O3 LED

製品説明 6インチ サファイア・ウェーバー:

サファイア・ウェーファーは,高硬度 (9.0モース),良好な透明性,化学的安定性などの特徴を持つ鉱物の一種である.サファイア・ウェーファーは2つのカテゴリーに分類することができる.天然サファイアと合成サファイア合成サファイアウエフルは,高温および高圧条件下で化学反応によって生産される.彼らは比較的低コストでより均一なサファイアウエフルを生産することができます.工業生産に広く使われています異なる合成方法と条件によって,金色の黄色,ピンクなど様々な色と形状のサファイアウエファーが作れます.

6インチ (約150mm) の基板は,通常標準化された厚さを持ち,上軸生長に適しています.溶解法 (ベルヌイル法など) や溶液法 (チョクラルスキー法など) で栽培高品質の単結晶のサファイア基板を生産することが可能で,良好な結晶品質を提供し,デバイスの性能と信頼性を向上させるのに役立ちます.装置の長期的安定性を確保するために,高温や変化する環境での使用に適しています.. 青と白のLEDの表頭生長に広く使用され,良いGaN基板を提供します.高周波および高電力装置でも重要な役割を果たします.

6インチサファイア・ウェーバーのキャラクター

1化学的安定性
腐食 耐性: サファイア は 化学 的 な 安定 性 が 優れ ており,様々な 化学 物質 の 腐食 に 耐える こと が でき ます.

2光学特性
透明性: 可視光と紫外線領域で良好な伝達性があり,光電気装置に適しています.
低光損失:高電力アプリケーションでは,サファイア基板は光損失を効果的に軽減することができます.

3メカニカルプロパティ
高硬さ:サファイア硬さは極めて高く,耐磨性が高く,厳しい環境でも安定性を維持することができます.
硬さ: 砂利 は 硬さ が 高い の に も しれ,その 硬さ は 比較的 良い もの で ある.また,一定 の 衝撃 に 耐える こと が でき ます.

4. 熱特性
熱伝導性: 熱伝導性が良好で,高温アプリケーションに適した熱を効果的に散らすことができます.
熱安定性:高温環境で安定した性能を維持することができ,高電力装置に適しています.

5電気特性
隔熱: サファイア は 高電圧 の 適用 に 適した 優れた 電気 隔熱 材 です.

6成長プロセス
高品質の結晶: 溶解方法やチョクラルスキー方法などの高度なプロセスを用いて高品質の単結結晶基質を得ることができます.

7サイズ標準化
6インチ仕様:標準の6インチ (約150mm) サイズで,製造中により互換性があり,繰り返すことができます.

6インチサファイア・ウェーファーのパラメータ表:

6インチサファイア・ウェーバーの写真

6インチサファイア・ウェーファーの用途:

1.C平面のサファイアウエフルの適用

他の結晶の方向性を持つサファイア基板と比較してC平面 (<0001>向き) のサファイアウエフルは,III-VおよびII-VIグループ材料 (例えばGaN) と比較的小さい格子定数不一致を示します.さらに,両者との格子定の不一致と,バッファ層として機能できる薄膜AlNはさらに小さい.この特性により,C平面のサファイアウエフルは,GaN成長プロセスで一般的に使用される基板材料になります..

C平面のサファイアウエフルは,GaNエピタキシープロセスにおける高温要求を満たす能力があるため,白/青/緑色発光二極管 (LED) の製造に理想的です.レーザーダイオード紫外線探知器など

2A平面のサファイアウエフルの適用

優れた全体的な性能,特にその優れた透明性により 赤外線光の浸透力を高め,サファイア単結晶は理想的な中赤外線窓材料となり,軍事用電光装置に広く使用されていますこの文脈では,A平面のサファイアは,極面 (C平面) に垂直な非極面を表しています.A方向で栽培されたサファイア結晶は,C方向で栽培されたものと比較して優れた品質を示しています.A方向サファイアウエファーは,よりよい光伝達特性を提供する.

さらに,A平面上のAl-O-Al-Oの原子結合配置により,a方向サファイアはc方向サファイアと比較して著しく高い硬さと耐磨性を誇っています.だからA平面ウエファーは主に窓材料として使用されます.さらに,A平面ウエファーは均等な介電常数と高い隔熱特性も備えています.混合マイクロエレクトロニクス技術での応用に適している高温の超伝導体成長プロセスでも使用できます例えば,TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) のような材料を用いて,サファイアとセリウムオキシド (CeO2) の複合基板上にヘテロエピタキアル超伝導フィルムの成長.

3R平面とM平面のサファイアウエフルの適用

サファイルのR平面は,非極面であり,したがって,サファイルの装置におけるR平面の位置の変化は,異なる機械的,熱的,電気的,光学的特性をもたらします.一般的に, R平面のサファイア基板は,シリコンとヘテロエピタキシアル堆積のために好まれ,主に半導体製造に使用されます.マイクロ波およびマイクロ電子集成回路のアプリケーションR平面のサファイア基板は,ルビーボール,他の超伝導部品,高抵抗レジスタ,ガリウムアルセニドの製造にも使用されます.

スマートフォンやタブレットなどR平面のサファイア基板は,スマートフォンやタブレットで使用されている既存の複合表面音響波 (SAW) 装置を置き換えました性能を向上させ,様々な用途のための改善された基盤を提供します.

6インチサファイア・ウェーファーのアプリケーション写真:

カスタマイズ:

ZMSHは,C平面,A平面,R平面,M平面など,あらゆる結晶の方向性を持つサファイア・ウエフルを提供できます.

A平面のサファイア・ワッフル:これらのウエファは均等な介電常数と高保温性能を有し,混合マイクロ電子の分野で広く使用されている.

M平面のサファイア・ウェーファー:近紫外線検出におけるサファイアの応用展望は,MgZnO合金半導体薄膜の幅幅に関心が高まっている.

R平面のサファイア・ウェーファー:R平面 (1-102) サファイアウエファーは,マイクロ電子ICアプリケーションにおけるシリコンの上軸堆積のための好ましい材料である.R平面は,サファイアの非極面である.

標準のサイズと結晶の向きに加えて研究やビジネスアプリケーションの顧客のための柔軟性を最大化するために提供されています.すべてのサファイアウエファーは,Class 100 クリーンルームで清掃され,パッケージされ,顧客の厳格なエピタキシアル成長要件を満たすために,直接エピタキシアル成長 (Epi-readyグレード) に適用されます.表面を磨いたり磨かなかったりあなたの研究分野における様々な要求を満たすために,あなたの特定のニーズに応じて生産をカスタマイズすることができます.

6インチサファイア・ウェッファーの カスタマイズされた写真:

FAQ:

1(質問) サファイア・ウエフルはどのくらいのサイズですか?

A: 私たちの標準的なウエファー直径は,サイズで25.4mm (1インチ) から300mm (11.8インチ) まであります.ワッフルは,様々な厚さや方向性で,磨いたか磨かれていない側面で製造され,ドーパントを含める可能性があります..

2Q:なぜサファイア基板を使うのですか?
A:サファイアには 絶妙な電熱隔離性,透明性,熱伝導性,高硬度特性がありますLED とマイクロ電子回路で使用される.超高速集積回路を 開発しています

3Q:なぜ大きいワッフルが良いのか?
A: ワッフルサイズを増やせば 太陽電池の表面面積が大きくなるので より多くの太陽光が吸収され 電気に変換できますセルとモジュールごとにより高い出力量をもたらすより大きなウエーファーでは 太陽光発電の総エネルギー生産を大幅に向上させることができます

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