N-InP基板の帯域幅 02:2.5G波長1270nmのエピ・ウェーファー

N-InP基板の帯域幅 02:2.5G波長1270nmのエピ・ウェーファー FPレーザーダイオード

N-InP基板FPエピワファーの概要

私たちのN-InP基板FPエピワファーは,光通信アプリケーションのために特に最適化されたファブリ・ペロ (FP) レーザー二極管の製造のために設計された高性能エピタキシアル・ウェーファーです.このエピワファーにはN型インディアム・フォスフィード (N-InP) の基板があります優れた電子および光電子特性で知られる材料で,高速および高周波装置に最適です.

エピワファーは1270nmの波長で動作するレーザーダイオードを製造するために設計されています光ファイバー通信における粗波波長分割マルチプレキシング (CWDM) システムにとって重要な波長であるエピタキシアル層の組成と厚さの正確な制御により,最適な性能が確保され,FPレーザーダイオードは最大2.5GHzの動作帯域幅を達成することができます.この帯域幅は,デバイスを高速データ送信に適している迅速かつ信頼性の高い通信を必要とするアプリケーションをサポートします.

レーザーダイオードのファブリ・ペロ (FP) 腔構造は,InP基板の高品質の上軸層によって促進される.低騒音で高効率で一貫した光を生成するこのEpiwaferは一貫して信頼性の高いパフォーマンスを提供するように設計されており 通信用最先端のレーザーダイオードを製造することを目指す製造者にとって 優れた選択となっていますデータセンター高速ネットワーク環境です.

N-InP基板FPエピウォーファーは 優れた素材特性 波長準確性高い運用帯域幅現代の高速通信ネットワークの厳格な要求を満たすFPレーザーダイオードを生産するための堅牢な基盤を提供します.

N-InP基板FPエピワファーの特性

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsこのエピワファーの主要特性は以下のとおりです.

1. 基板材料:

   • タイプ: N型インディウム・リン酸 (N-InP)
   • 属性: 高電子移動性,低抵抗性,優れた熱伝導性,高速電子および光電子アプリケーションに適しています.

1. エピタキシアル層:

   • 成長技術: N-InP基板にエピタキシアル層を植え付けると,金属有機化学蒸気堆積 (MOCVD) や分子ビームエピタキシ (MBE) のような技術が用いられる.
   • 層組成: ドーピング濃度と材料組成の正確な制御により,望ましい電子および光学特性を達成します.

2. 波長:

   • ターゲット波長: 1270 nm
   • 適用する: 光ファイバー通信システムにおける粗波波長分割マルチプレックス (CWDM) に最適.

3. 帯域幅:

   • 運用帯域幅: 最大 2.5 GHz
   • パフォーマンス: 高速データ送信に適しており,通信とデータネットワークにおける信頼性の高い性能を保証します.

4. ファブリー・ペロ・ホイット:

   • 構造: エピワファーは高効率のコアレンスの光を生成するために不可欠なファブリ=ペロ腔の形成をサポートします.
   • レーザーの特性: レーザーダイオードを最小限のノイズ,安定した波長放出,高出力で生産します.

5. 表面の質:

   • 磨き: 欠陥を最小限に抑えるため,基板表面は高度に磨き上げられ,最小限の外転を伴う高品質の上軸層が確保されます.

6. 熱特性:

   • 熱散: N-InP基板の優れた熱伝導性は,レーザー二極管の性能と長寿を維持するために不可欠な効果的な熱散をサポートします.

7. 適用適性:

   • ターゲットデバイス: 光通信システム,データセンター,および他の高速ネットワーク環境で使用されるFPレーザーダイオード用に設計されています.

これらの特性により,Epiwaferは高品質のFPレーザーダイオードの製造をサポートする能力が現代の光通信技術の厳格な要求を満たす.

N-InP基板FP エピワファーの応用

N-InP基板FPエピワファーは,高度な光電子装置,特にファブリ・ペロレーザー二極管の開発における重要な部品である.その特性により,高速通信および関連分野における幅広い用途に適しています主要な用途は以下の通りです

1. 光通信システム:

   • 光ファイバー通信: Epiwafer は,一般的に粗波波長分割多重化 (CWDM) システムで使用される1270nm波長で動作するFPレーザー二極管の製造に理想的です.この システム は 波長 の 精密 な 制御 に 頼っ て,単一 の 繊維 を 通し て 多数 の データ チャンネル を 送信 する帯域幅を拡張し,追加の繊維を必要としない.
   • 高速データリンク: ワイファーは,最大2.5GHzの動作帯域幅を持つレーザーダイオードをサポートし,高速データ送信アプリケーションに適しています.メトロポリタンエリアネットワーク (MAN) と長距離光学ネットワークを含む.

2. データセンター:

   • インターコネクトこのEpiwaferから製造されたFPレーザーダイオードは,高速で低遅延通信が不可欠なデータセンター内の光学接続に使用されます.このレーザーによって サーバー間の効率的なデータ転送が可能になりますネットワーク機器などです
   • クラウドコンピューティングインフラストラクチャ: クラウドサービスが常に増加するデータ速度を求めているため,FPレーザーダイオードは大規模なデータセンターネットワークのパフォーマンスと信頼性を維持するのに役立ちます.分散型コンピューティング環境.

3. 電気通信:

   • 5Gネットワーク: エピワファーは,高速データ回線と信頼性の高い接続が必要な5G通信インフラストラクチャのためのレーザー二極管の製造に使用されます.FPレーザーダイオードは,5Gネットワークの骨組みを通じてデータを送信するために必要な光信号を提供します.
   • FTTx (ファイバー x): この技術では,ファイバーオプティックネットワークをエンドユーザー (家庭,企業) に近い場所に展開し,FPレーザーダイオードはFTTxシステムで使用される光伝送器の重要な部品です.

4. 試験・測定装置:

   • オプティカルスペクトル解析機:このエピワファーから製造されたFPレーザーダイオードは,光通信システムの性能試験と測定のための不可欠なツールである光スペクトル分析器で使用されます.
   • オプティカルコアレンストモグラフィ (OCT): 医療画像技術において,特にOCTシステムにおいて,FPレーザーダイオードは,生物組織の高解像度画像撮影に必要な光源を提供する.

5. センサー と 計量 学:

   • オプティカルセンサー: FPレーザーダイオードの精度と安定性により,環境モニタリング,産業プロセス制御,生物医学用途のための光センサーで使用するのに適しています.
   • 距離と位置付けシステム: FPレーザーダイオードは,LIDAR (ライト検出および範囲測定) や他の定位技術などの正確な距離測定を必要とするシステムでも使用されます.

N-InP基板FP Epiwaferの汎用性と高性能特性により,光通信,データセンター,電気通信そしてそれ以上も

N-InP基板FP エピワファーの写真