3C-N型 シリコンカービッド・ウェーファー 2インチ 4インチ 6インチ または 5*5 10*10mm サイズ 生産級 研究級

3C-N タイプ炭化ケイ素ウェーハ 2 インチ 4 インチ 6 インチまたは 5*5 & 10*10mm サイズ、生産グレード研究グレード

3C-N型炭化ケイ素ウエハの概要

3C-Nタイプ炭化ケイ素（SiC）ウエハは、立方晶 3C ポリタイプを利用する SiC ウェハの特定のバリエーションです。これらのウェーハは、優れた熱的、電気的、機械的特性で知られており、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、パワーデバイスの高度な技術の厳しい要件を満たすように設計されています。

の3C ポリタイプ立方晶系の結晶構造を特徴としており、4H-SiC や 6H-SiC などの六方晶系ポリタイプに比べていくつかの利点があります。 3C-SiC の主な利点の 1 つは、より高い電子移動度そのため、高速スイッチングと低エネルギー損失が重要な高周波アプリケーションやパワーエレクトロニクスに最適です。さらに、3C-N SiC ウェーハにはより低いバンドギャップ(約 2.36 eV)、それでも高電力と電圧を効率的に処理できます。

これらのウェーハは、次のような標準サイズで入手できます。5×5mmそして10×10mm、厚さ350μm±25μm、さまざまなデバイス製造プロセスに対する正確な互換性を保証します。での使用に適しています。ハイパワーそして高周波デバイスMOSFET、ショットキー ダイオード、その他の半導体コンポーネントなど、極端な条件下でも信頼性の高いパフォーマンスを提供します。

の熱伝導率3C-N SiC ウェーハを使用すると、効率的な熱放散が可能になります。これは、高電力密度で動作するデバイスにとって重要な機能です。さらに、機械的強度と熱的および化学的ストレスに対する耐性により、厳しい環境でも耐久性があり、用途がさらに強化されます。パワーエレクトロニクス、AR技術、 そして高温センサー。

要約すると、3C-N タイプの SiC ウェーハは優れた電子的、熱的、機械的特性を兼ね備えており、次世代の電子デバイスや高性能アプリケーションに不可欠なものとなっています。

3C-N型炭化ケイ素ウエハの写真

3C-N型炭化ケイ素ウエハの特性

結晶構造:

立方晶 (3C) ポリタイプ構造は、4H-SiC や 6H-SiC などの六方晶系 SiC ポリタイプと比較して高い電子移動度を提供し、高周波アプリケーションに適しています。

サイズオプション:

5x5mm および 10x10mm の寸法があり、さまざまな用途に柔軟に対応できます。

厚さ:

350 μm ± 25 μm の精密に制御された厚さにより、機械的安定性と幅広い製造プロセスとの互換性が保証されます。

高い電子移動度:

立方晶構造により電子輸送が向上し、パワー エレクトロニクスや RF デバイスにおける高速かつ低エネルギー損失のアプリケーションに有利になります。

熱伝導率:

優れた熱伝導率により、高電力密度で動作するデバイスにとって重要な効率的な熱放散が可能になり、過熱を防ぎ、デバイスの寿命を延ばします。

バンドギャップ:

バンドギャップが約 2.36 eV と低く、極限環境でも効率的な動作を維持しながら、高電圧および高電力アプリケーションに適しています。

機械的強度:

3C-N SiC ウェーハは高い機械的耐久性を示し、摩耗や変形に対する耐性を備え、過酷な条件下でも長期の信頼性を保証します。

光学的透明性:

特定の波長に対する透過性により、特に LED や光検出器などのオプトエレクトロニクス用途に優れた光学特性を示します。

化学的安定性および熱的安定性:

熱的および化学的ストレスに対する耐性が高く、高温のエレクトロニクスやセンサーなどの極限環境での使用に適しています。

これらの特性により、3C-N SiC ウェーハは、パワー エレクトロニクス、高周波デバイス、オプトエレクトロニクス、センサーなどの幅広い高度なアプリケーションに最適です。

3C-Nタイプ炭化ケイ素ウエハデータチャート

晶格フィールド 2 英寸 SiC 結晶片製品規格

2 直径インチのシリコン超硬（SiC）基板 仕様

注:

※欠陥制限はエッジ除外領域を除くウェーハ全面に適用されます。 # 傷は Si 面のみで確認してください。

3C-Nタイプ炭化ケイ素ウエハの用途

半導体およびマイクロエレクトロニクス産業における 3C-N タイプの炭化ケイ素 (SiC) ウェーハのアプリケーション

3C-N タイプの炭化ケイ素ウェーハは、半導体およびマイクロエレクトロニクス産業で重要な役割を果たし、さまざまなデバイスの性能と効率を向上させる独自の特性を提供します。

パワーエレクトロニクス:

パワー エレクトロニクスでは、3C-N SiC ウェーハは次のような高出力デバイスに広く使用されています。MOSFET、ショットキーダイオード、 そしてパワートランジスタ。高い熱伝導率と電子移動度により、これらのデバイスはエネルギー損失を最小限に抑えながら、高電圧および高温で効率的に動作することができます。このため、3C-N SiC は次の用途に最適です。電力変換システム、電気自動車（EV）、 そして再生可能エネルギーシステム効率的なエネルギー管理が重要です。

高周波デバイス:

3C-N SiC ウェーハの優れた電子移動度は、以下の用途に適しています。無線周波数 (RF)そしてマイクロ波アプリケーション、 のようなアンプ、発振器、 そしてフィルター。これらのウェーハにより、デバイスがより低い信号損失でより高い周波数で動作できるようになり、無線通信システム、衛星技術、レーダー システムの性能が向上します。

高温エレクトロニクス:

3C-N SiC ウェーハは、次のような極限環境で動作する半導体デバイスにも使用されます。高温センサーそしてアクチュエータ。この材料の機械的強度、化学的安定性、耐熱性により、これらのデバイスは、過酷な動作条件に耐える必要がある航空宇宙、自動車、石油・ガスなどの業界で信頼性の高い性能を発揮します。

微小電気機械システム (MEMS):

マイクロエレクトロニクス業界では、3C-N SiC ウェーハが使用されています。MEMSデバイス、高い機械的強度と熱安定性を備えた材料が必要です。これらのデバイスには以下が含まれます圧力センサー、加速度計、 そしてジャイロスコープ、さまざまな温度や機械的ストレス下での SiC の耐久性とパフォーマンスの恩恵を受けます。

オプトエレクトロニクス:

3C-N SiC ウェーハは次の分野でも使用されています。LED、光検出器、およびその他の光電子デバイスは、その光学的透明性と高出力の処理能力により、効率的な発光および検出機能を提供します。

要約すると、3C-N タイプの SiC ウェーハは、半導体およびマイクロエレクトロニクス産業、特に極限条件での高性能、耐久性、効率を必要とする用途に不可欠です。