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Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き

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Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き

ブランド名: ZMSH
型番: SIのウエファー
支払条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
ポーランド:
双面/単面 ポーリング
オリエンテーション:
<111>
厚さ:
675 μmから775 μm
RMS:
<1nm
TTV:
<20um
熱伝導性:
約150W/m·K
酸素濃度:
<10ppm
ハイライト:

8インチシワフラー

,

双面に磨かれたシ・ウェーファー

,

片側から磨いたシ・ウェーファー

製品説明

8インチシ・ウェーファー・シ・サブストラート 111 P型 N型 マイクロ電機機械システム (MEMS) またはパワー半導体装置または光学部品およびセンサー用

 

製品説明: (111) 結晶向きの8インチシリコンウエファーは,半導体製造に広く使用される高品質の単結晶材料である.(111) 結晶向きは,様々な高性能アプリケーションに有益な特定の電気的および機械的特性を提供します..

主要な特徴:

  • 直径:8インチ (200ミリ)
  • クリスタル・オリエンテーション(111),特定の半導体プロセスと装置特性に理想的なユニークな表面特性を提供します.
  • 高純度:均一性と低欠陥率を保証するために高度の純度で製造され,半導体およびマイクロ電子アプリケーションにとって重要です.
  • 表面質:通常は,装置の製造のための厳格な表面要件を満たすために磨きまたは清掃される.

応用:

  • 電力半導体装置:(111) の向きは,高い断熱電圧と好ましい熱特性により,特定の電源装置で好ましい.
  • MEMS (マイクロ電子機械システム):よくセンサー,アクチュエーター,および他のマイクロスケールデバイスに使用される,よく定義された結晶構造のおかげで.
  • オプトエレクトロニクス装置:光を発する装置や光探知器のアプリケーションに適しており,高い結晶品質が重要です.
  • 太陽電池:(111) 方向性シリコンは高効率の太陽光電池にも使用され,より優れた光吸収とキャリアモビリティが得られます.

Si Wafer の 適用 図:

Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き 0Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き 1

Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き 2    Si ウェーファー 8インチ 厚さ 675 μm から 775 μmP N型 111型 双面磨き/単面磨き 3

カスタマイズ:

  • 厚さと抵抗性:特定のアプリケーション要件を満たすために,顧客の仕様に合わせて調整できます.
  • ドーピングタイプ:P型またはN型ドーピングが利用可能で,ウエファの電気特性を調整できます.

このシリコンウエファー型は,幅広い半導体アプリケーションにとって不可欠であり,機械的強度,電気性能,処理の容易さのバランスを提供します.

 

タグ: 

半導体ウエハー  

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