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| ブランド名: | ZMSH |
| MOQ: | 1 |
| 価格: | by case |
| パッケージの詳細: | カスタムカートン |
| 支払条件: | T/T |
SiC基板＆エピウェーハ製品ポートフォリオ概要
当社は、高品質の炭化ケイ素（SiC）基板とウェーハの包括的なポートフォリオを提供しており、複数のポリタイプとドーピングタイプ（4H-N型[N型導電性]、4H-P型[P型導電性]、4H-HPSI型[高純度半絶縁性]、6H-P型[P型導電性]を含む）をカバーし、直径は4インチ、6インチ、8インチから最大12インチまで対応しています。ベア基板に加えて、付加価値の高いエピタキシャルウェーハ成長サービスを提供しており、エピ層の厚さ（1～20μm）、ドーピング濃度、欠陥密度の精密な制御を可能にしています。
各SiC基板およびエピタキシャルウェーハは、優れた結晶均一性と性能を確保するために、厳格なインライン検査（例：マイクロパイプ密度<0.1 cm⁻²、表面粗さRa<0.2 nm）と、CV試験、抵抗率マッピングなどの包括的な電気的特性評価を受けています。パワーエレクトロニクスモジュール、高周波RFアンプ、または光電子デバイス（例：LED、フォトディテクタ）に使用される場合でも、当社のSiC基板およびエピタキシャルウェーハ製品ラインは、信頼性、熱安定性、および耐圧強度に関する最も厳しいアプリケーション要件を満たしています。
4H-N型炭化ケイ素基板は、その広いバンドギャップ（〜3.26 eV）と高い熱伝導率（〜370-490 W/m・K）により、高温および高電界条件下でも安定した電気的性能と熱的堅牢性を維持します。
コア特性：
N型ドーピング：精密に制御された窒素ドーピングにより、1×10¹⁶～1×10¹⁹ cm⁻³のキャリア濃度と、最大約900 cm²/V・sの室温電子移動度が得られ、これにより伝導損失を最小限に抑えることができます。
低欠陥密度：マイクロパイプ密度は通常< 0.1 cm⁻²であり、基底面転位密度は< 500 cm⁻²であり、高いデバイス歩留まりと優れた結晶完全性の基盤を提供します。
優れた均一性：抵抗率は0.01～10 Ω・cm、基板厚さは350～650 μmであり、ドーピングと厚さの許容誤差は±5%以内に制御可能です。
ターゲットアプリケーション：
6インチ4H-N型SiCウェーハの仕様 |
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| 特性 | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| グレード | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| 直径 | 149.5 mm - 150.0 mm | 149.5 mm - 150.0 mm |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 厚さ | 350 μm ± 15 μm | 350 μm ± 25 μm |
| ウェーハオリエンテーション | オフ軸：4.0°方向<1120>± 0.5° | オフ軸：4.0°方向<1120>± 0.5° |
| マイクロパイプ密度 | ≤ 0.2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| 抵抗率 | 0.015 - 0.024 Ω・cm | 0.015 - 0.028 Ω・cm |
| プライマリフラットオリエンテーション | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| プライマリフラット長 | 475 mm ± 2.0 mm | 475 mm ± 2.0 mm |
| エッジ除外 | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 60 μm |
| 粗さ | 研磨Ra ≤ 1 nm | 研磨Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 高強度光によるエッジクラック | 累積長 ≤ 20 mm、単一長 ≤ 2 mm | 累積長 ≤ 20 mm、単一長 ≤ 2 mm |
| 高強度光による六角プレート | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 0.1% |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 3% |
| 目視炭素含有物 | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 5% |
| 高強度光によるシリコン表面スクラッチ | 累積長 ≤ 1ウェーハ直径 | |
| 高強度光によるエッジチップ | 幅と深さが0.2 mm以上のものは許可されていません | 7個許可、各≤ 1 mm |
| ねじれ転位 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 高強度光によるシリコン表面汚染 | ||
| パッケージング | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ |
8インチ4H-N型SiCウェーハの仕様 |
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| 特性 | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| グレード | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| 直径 | 199.5 mm - 200.0 mm | 199.5 mm - 200.0 mm |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 厚さ | 500 μm ± 25 μm | 500 μm ± 25 μm |
| ウェーハオリエンテーション | 4.0°方向<110>± 0.5° | 4.0°方向<110>± 0.5° |
| マイクロパイプ密度 | ≤ 0.2 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² |
| 抵抗率 | 0.015 - 0.025 Ω・cm | 0.015 - 0.028 Ω・cm |
| ノーブルオリエンテーション | ||
| エッジ除外 | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Bow / Warp | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 35 μm / 70 μm | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 35 μm / 100 μm |
| 粗さ | 研磨Ra ≤ 1 nm | 研磨Ra ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| 高強度光によるエッジクラック | 累積長 ≤ 20 mm、単一長 ≤ 2 mm | 累積長 ≤ 20 mm、単一長 ≤ 2 mm |
| 高強度光による六角プレート | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 0.1% |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 3% |
| 目視炭素含有物 | 累積面積 ≤ 0.05% | 累積面積 ≤ 5% |
| 高強度光によるシリコン表面スクラッチ | 累積長 ≤ 1ウェーハ直径 | |
| 高強度光によるエッジチップ | 幅と深さが0.2 mm以上のものは許可されていません | 7個許可、各≤ 1 mm |
| ねじれ転位 | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| 高強度光によるシリコン表面汚染 | ||
| パッケージング | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ |
電気自動車、再生可能エネルギー発電（太陽光発電インバータ）、産業用モータードライブ、および航空宇宙分野で広く使用されている、高電圧パワーデバイス（MOSFET、IGBT、ショットキーダイオードなど）の製造のためのコア材料です。
主にSiC MOSFET、ショットキーダイオード、パワーモジュールなどのパワーエレクトロニクスデバイスに使用され、電気自動車の駆動系、太陽光発電インバータ、産業用ドライブ、およびトラクションシステムに広く適用されています。その特性により、5G基地局の高周波RFデバイスにも適しています。
4H半絶縁型SiC基板は、非常に高い抵抗率（通常≥ 10⁹ Ω・cm）を備えており、高周波信号伝送中の寄生伝導を効果的に抑制するため、高性能無線周波数（RF）およびマイクロ波デバイスの製造に最適です。
コア特性：
ターゲットアプリケーション：
6インチ4H-semi SiC基板仕様 |
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| 特性 | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| 直径 (mm) | 145 mm - 150 mm | 145 mm - 150 mm |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 厚さ (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| ウェーハオリエンテーション | オン軸：±0.0001° | オン軸：±0.05° |
| マイクロパイプ密度 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 15 cm-2 |
| 抵抗率 (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| プライマリフラットオリエンテーション | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| プライマリフラット長 | ノッチ | ノッチ |
| エッジ除外 (mm) | ≤ 2.5 μm / ≤ 15 μm | ≤ 5.5 μm / ≤ 35 μm |
| LTV / ボウル / ワープ | ≤ 3 μm | ≤ 3 μm |
| 粗さ | 研磨Ra ≤ 1.5 μm | 研磨Ra ≤ 1.5 μm |
| 高強度光によるエッジチップ | ≤ 20 μm | ≤ 60 μm |
| 高強度光によるヒートプレート | 累積 ≤ 0.05% | 累積 ≤ 3% |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | 目視炭素含有物 ≤ 0.05% | 累積 ≤ 3% |
| 高強度光によるシリコン表面スクラッチ | ≤ 0.05% | 累積 ≤ 4% |
| 高強度光によるエッジチップ (サイズ) | 幅と深さが02 mmを超えるものは許可されていません | 幅と深さが02 mmを超えるものは許可されていません |
| 補助スクリューダイレーション | ≤ 500 μm | ≤ 500 μm |
| 高強度光によるシリコン表面汚染 | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| パッケージング | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ |
4インチ4H-半絶縁SiC基板仕様 |
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|---|---|---|
| パラメータ | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Dummy Grade (D Grade) |
| 物理的特性 | ||
| 直径 | 99.5 mm – 100.0 mm | 99.5 mm – 100.0 mm |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 厚さ | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| ウェーハオリエンテーション | オン軸：<600h >0.5° | オン軸：<000h >0.5° |
| 電気的特性 | ||
| マイクロパイプ密度 (MPD) | ≤1 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| 抵抗率 | ≥150 Ω・cm | ≥1.5 Ω・cm |
| 幾何学的許容差 | ||
| プライマリフラットオリエンテーション | (0x10) ± 5.0° | (0x10) ± 5.0° |
| プライマリフラット長 | 52.5 mm ± 2.0 mm | 52.5 mm ± 2.0 mm |
| セカンダリフラット長 | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| セカンダリフラットオリエンテーション | プライムフラットから90°CW ± 5.0° (Si面アップ) | プライムフラットから90°CW ± 5.0° (Si面アップ) |
| エッジ除外 | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / ボウ / ワープ | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| 表面品質 | ||
| 表面粗さ (研磨Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| 表面粗さ (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| エッジクラック (高強度光) | 許可されていません | 累積長 ≥10 mm、単一クラック ≤2 mm |
| 六角プレート欠陥 | ≤0.05% 累積面積 | ≤0.1% 累積面積 |
| ポリタイプインクルージョン領域 | 許可されていません | ≤1% 累積面積 |
| 目視炭素含有物 | ≤0.05% 累積面積 | ≤1% 累積面積 |
| シリコン表面スクラッチ | 許可されていません | ≤1ウェーハ直径の累積長 |
| - | 許可されていません (幅/深さ ≥0.2 mm) | ≤5チップ (各 ≤1 mm) |
| シリコン表面汚染 | 指定されていません | 指定されていません |
| パッケージング | ||
| パッケージング | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | マルチウェーハカセットまたは |
電気自動車、再生可能エネルギー発電（太陽光発電インバータ）、産業用モータードライブ、および航空宇宙分野で広く使用されている、高電圧パワーデバイス（MOSFET、IGBT、ショットキーダイオードなど）の製造のためのコア材料です。
4H-N型SiC基板上に成長したホモエピタキシャル層は、高性能パワーおよびRFデバイス製造のための最適化された活性層を提供します。エピタキシャルプロセスにより、層厚、ドーピング濃度、および結晶品質を精密に制御できます。
Q2：4H-N型と半絶縁型SiC基板の基本的な違いは何ですか？
コア特性：
カスタマイズ可能な電気的パラメータ：エピタキシャル層の厚さ（標準範囲5～15 μm）とドーピング濃度（例：1E15～1E18 cm⁻³）は、デバイスの要件に応じてカスタマイズでき、優れた均一性を備えています。
低欠陥密度：高度なエピタキシャル成長技術（CVDなど）により、キャロット欠陥や三角欠陥などのエピタキシャル欠陥の密度を効果的に制御し、デバイスの信頼性を向上させることができます。
基板の利点の継承：エピタキシャル層は、広いバンドギャップ、高い絶縁破壊電界、および高い熱伝導率など、4H-N型SiC基板の優れた特性を継承します。
| 6インチN型エピ軸仕様 | |||
| パラメータ | 単位 | Z-MOS | |
| タイプ | 導電率/ドーパント | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | N型/窒素 |
| バッファ層 | バッファ層厚さ | ≤4.0 (10mm×10mm) | 1 |
| バッファ層厚さ許容差 | ≥ 96.0 | ±20% | |
| バッファ層濃度 | cm-3 | 1.00E+18 | |
| バッファ層濃度許容差 | ≥ 96.0 | ±20% | |
| 1stエピ層 | エピ層厚さ | ≤4.0 (10mm×10mm) | 11.5 |
| エピ層厚さ均一性 | ≥ 96.0 | ±4% | |
| エピ層厚さ許容差((Spec- 最大、最小)/Spec) |
≥ 96.0 | ±5% | |
| エピ層濃度 | cm-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| エピ層濃度許容差 | ≥ 96.0 | 6% | |
| エピ層濃度均一性(σ /平均) |
≥ 96.0 | ≤5% | |
| エピ層濃度均一性 |
≥ 96.0 | ≤ 10% | |
| Mi )/S ) | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | ≤±20 |
| ワープ | ≤4.0 (10mm×10mm) | ≤30 | |
| um | ≤4.0 (10mm×10mm) | ≤ 10 | |
| um | ≤4.0 (10mm×10mm) | ≤2 | |
| 一般特性 | スクラッチ長 | mm | ≤30mm |
| - | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | なし | |
| 欠陥定義 | ≥97% (2*2で測定、 キラー欠陥には以下が含まれます：欠陥には以下が含まれます マイクロパイプ/大きなピット、キャロット、三角形 |
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| 金属汚染 | atoms/cm² | d f f ll i ≤5E10 atoms/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, パッケージ |
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| 梱包仕様 | - | 個/箱 | |
| 8インチN型エピタキシャル仕様 | |||
| パラメータ | 単位 | Z-MOS | |
| タイプ | 導電率/ドーパント | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | N型/窒素 |
| バッファ層 | バッファ層厚さ | ≤4.0 (10mm×10mm) | 1 |
| バッファ層厚さ許容差 | ≥ 96.0 | ±20% | |
| バッファ層濃度 | cm-3 | 1.00E+18 | |
| バッファ層濃度許容差 | ≥ 96.0 | ±20% | |
| 1stエピ層 | エピ層厚さ平均 | ≤4.0 (10mm×10mm) | 8~ 12 |
| エピ層厚さ均一性(σ/平均) | ≥ 96.0 | ≤2.0 | |
| エピ層厚さ許容差((Spec -最大、最小)/Spec) | ≥ 96.0 | ±6 | |
| エピ層ネット平均ドーピング | cm-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| エピ層ネットドーピング均一性(σ/平均) | ≥ 96.0 | ≤5 | |
| エピ層ネットドーピング許容差((Spec -最大、 | ≥ 96.0 | ± 10.0 | |
| Mi )/S ) |
ワープ um |
≤4.0 (10mm×10mm) | ボウ |
| um | ≤4.0 (10mm×10mm) | TTV | |
| um | ≤4.0 (10mm×10mm) | LTV | |
| um | ≤4.0 (10mm×10mm) | 一般 | |
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特性 スクラッチ |
- | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | エッジチップ |
| - | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | 表面金属汚染 | |
| atoms/cm2 | ≤5E10 atoms/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, |
Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn) パッケージ |
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| % | ≥ 96.0 |
(2X2 欠陥にはマイクロパイプ/大きなピットが含まれます、 キャロット、三角形の欠陥、ダウンフォール、 線形/IGSF-s、BPD) 表面金属汚染 |
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| atoms/cm2 | ≤5E10 atoms/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, |
Hg,Na,K, Ti, Ca &Mn) パッケージ |
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| 梱包仕様 | - | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | |
ターゲットアプリケーション：
電気自動車、再生可能エネルギー発電（太陽光発電インバータ）、産業用モータードライブ、および航空宇宙分野で広く使用されている、高電圧パワーデバイス（MOSFET、IGBT、ショットキーダイオードなど）の製造のためのコア材料です。
ZMSHについて
ZMSHは、2インチから12インチの直径のさまざまなサイズのSiC基板を提供できます。製品タイプは、4H-N型、6H-P型、4H-HPSI（高純度半絶縁性）型、4H-P型、3C-N型など、複数の結晶構造をカバーしており、さまざまなアプリケーションシナリオの特定の要件を満たしています。
SiC基板の種類に関するFAQ
A1：3つの主なタイプは、MOSFETやEVなどのパワーデバイス用の4H-N型（導電性）、5G基地局アンプなどの高周波RFデバイス用の4H-HPSI（高純度半絶縁性）、および特定の高出力および高温用途にも使用される6H型です。
Q2：4H-N型と半絶縁型SiC基板の基本的な違いは何ですか？
A2：主な違いは、電気抵抗率です。4H-N型は、パワーエレクトロニクスにおける電流の流れのために低抵抗率（例：0.01～100 Ω・cm）で導電性があり、半絶縁型（HPSI）は、無線周波数アプリケーションでの信号損失を最小限に抑えるために非常に高い抵抗率（≥ 10⁹ Ω・cm）を示します。
Q3：5G基地局などの高周波アプリケーションにおけるHPSI SiCウェーハの主な利点は何ですか？
A3：HPSI SiCウェーハは、非常に高い抵抗率（>10⁹ Ω・cm）と低い信号損失を提供し、5Gインフラストラクチャおよび衛星通信におけるGaNベースのRFパワーアンプの理想的な基板となっています。
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カスタマイズ、#2インチ/3インチ/4インチ/6インチ/8インチ/12インチ
