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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

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Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

ブランド名: ZMSH
型番: サファイアウエハ
MOQ: 10個
価格: 5usd
パッケージの詳細: 真空パッケージ
支払条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
Rohs
直径:
150±0.1mm
厚さ:
350±15μm500±15μm1000±15μm
粗さ:
Ra ≤ 0.2 nm
ワープ:
≤ 15のμm
供給の能力:
ケース別
製品説明
Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total
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