10x10mmの走査型電子顕微鏡Pのタイプ シリコンの薄片の正方形の部分SEM

製品の説明

2inch 3inch 4inch 5inch 6inch 8inch 12inch FZ CZのNタイプの磨かれたシリコンの薄片DSP SiO2のウエファーのケイ素酸化物のウエファー

1inch 2inch 10x10mmの走査型電子顕微鏡のシリコンの薄片小さい正方形の部分SEM

磨かれたシリコンの薄片の高純度の（11N） 1-12インチのCzochralskiの単一および二重磨かれたウエファー
サイズ1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12"および特別なサイズおよび指定のウエファー
表面の単一の磨くディスク、二重磨くディスク、研摩ディスク、ディスクを切る腐食ディスク
さまざまな以外角度 <100> <111> <110> <211> <511> の水晶オリエンテーションそしてシリコンの薄片
厚さ100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mmおよび他の厚さ、厚さの許容+-10um、

、< 10um="" or="" according="" to="" customer="" requirements=""> PタイプNタイプ、TTVの伝導性のタイプundope （本質的に抗力が高い）
単結晶方法Czochralski （CZ）、地帯溶けること（FZ）、NTD （中間の写真）
抵抗の再添加は達することができる <0>

地帯溶ける真性:> 1000 ohm.cm、>3000 ohm.cm、>5000 ohm.cm、>8000 ohm.cm、>10000 ohm.cmの
プロセス パラメータの平坦TIR:≤3μmのそりTTV:≤10μm、
弓/Warp≤40μm、roughness≤0.5nmの粒度 <> 0.3μ）
10部分、25部分を真空パックするパッキング方法Ultra-cleanアルミ ホイル
カスタム化をモデル、水晶オリエンテーション、厚さ、抵抗、等の処理時間処理することは異なった指定および変数に従ってわずかに異なる。
適用紹介それはプロセスのような放射光のサンプル キャリア、基質、マグネトロンの放出させる成長のサンプル、XRD、SEMとしてPVD/CVDのコーティングのために使用される、
原子力、赤外線分光学、蛍光性の分光学および他の分析テスト基質の分子線エピタキシャル成長法の成長の基質、結晶の半導体のX線分析

ZMSHは科学研究の実験装置のテスト、2-3-4-5-6-8インチの磨かれたケイ素酸化物のウエファー、高純度の単結晶のケイ素の上塗を施してある電子顕微鏡の科学研究の基質のウエファーのために特別な半導体の強さの工場である

所有者に特定の指定のための順序を置く前に相談し、シリコンの薄片について質問をすること自由に感じなさい。

すべての科学研究の実験室および半導体の会社は命令するために歓迎されてOEMの発注は受け取りシリコンの薄片は輸入することができる。

特別な声明:私達の会社のすべてのシリコンの薄片は天然polysilicon安くないリサイクルされたシリコンの薄片ではなくから引かれる単結晶のケイ素から処理されるかまたは磨き直されたシリコンの薄片を使用した!引用語句は16% VATのインボイスが含まれている。

シリコンの薄片（ICの等級、引き方法CZ）のための私達の目録リスト
 まっすぐな引きの単一の側面の磨かれたシリコンの薄片
1インチ（25.4mm）のsingle-sided磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ500um
single-sided磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ2インチ（50.8mm）の280um
single-sided磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ3インチ（76.2mm）の380um
4インチ（100mm）の500umの厚さのsingle-sided磨かれたまっすぐ引きのシリコンの薄片
5インチ（125mm）のsingle-sided磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ625um
single-sided磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ6インチ（150mm）の675um

Czochralskiの両面の磨かれたシリコンの薄片
1インチ（25.4mm）の両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ500um
両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ2インチ（50.8mm）の280um
両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ3インチ（76.2mm）の380um

両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ4インチ（100mm）の500um
両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ5インチ（125mm）の625um
両面の磨かれたCzochralskiのウエファーの厚さ6インチ（150mm）の675um
single-sidedまっすぐ引っ張られる極めて薄いシリコンの薄片を磨いた

1インチ（25.4mm）のsingle-sided磨かれた極めて薄いまっすぐ引きのシリコンの薄片の厚さ100um
磨かれた極めて薄いまっすぐ引きのシリコンの薄片の厚さ2インチ（50.8mm）の単一側の100um
磨かれた極めて薄いまっすぐ引きのシリコンの薄片の厚さ3インチ（76.2mm）の単一側の100um
4インチ（100mm）の100umの厚さのsingle-sided磨かれた極めて薄いまっすぐ引きのシリコンの薄片

Czochralskiの両面の磨かれた極めて薄いシリコンの薄片
1インチ（25.4mm）の両面の磨かれた極めて薄いCzochralskiのウエファーの厚さ100um
両面の磨かれた極めて薄いCzochralskiのウエファーの厚さ2インチ（50.8mm）の100um
両面の磨かれた極めて薄いCzochralskiのウエファーの厚さ3インチ（76.2mm）の100um
両面の磨かれた極めて薄いCzochralskiのウエファーの厚さ4インチ（100mm）の100um

シリコンの薄片（ICの等級、地帯FZ溶けること）
地帯溶ける単一側の磨かれたシリコンの薄片
1インチ（25.4mm） single-sided磨く区域のシリコンの薄片の厚さ500umを溶かした
2インチ（50.8mm）は単一側の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ280umを溶かした

3インチ（76.2mm）は単一側の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ380umを溶かした
4インチ（100mm）は単一側の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ500umを溶かした

地帯溶ける両面の磨かれたシリコンの薄片
1インチ（25.4mm）は両面の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ500umを溶かした
2インチ（50.8mm）は両面の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ280umを溶かした
3インチ（76.2mm）は両面の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ380umを溶かした
4インチ（100mm）は両面の磨く区域のシリコンの薄片の厚さ500umを溶かした

地帯溶ける単一側の磨かれた極めて薄いシリコンの薄片
1インチの（25.4mm） single-sided磨く地帯溶ける極めて薄いシリコンの薄片の厚さ100um
single-sided磨く地帯溶ける極めて薄いシリコンの薄片の厚さ2インチ（50.8mm）の100um
single-sided磨く地帯溶ける極めて薄いシリコンの薄片の厚さ3インチ（76.2mm）の100um
single-sided磨く地帯溶ける極めて薄いシリコンの薄片の厚さ4インチ（100mm）の100um

地帯溶ける両面の磨かれた極めて薄いシリコンの薄片
極めて薄いシリコンの薄片の厚さ100umを溶かす1インチ（25.4mm）の両面の磨く区域
極めて薄いシリコンの薄片の厚さ100umを溶かす両面の磨く区域2インチ（50.8mm）の

極めて薄いシリコンの薄片の厚さ100umを溶かす両面の磨く区域3インチ（76.2mm）の
極めて薄いシリコンの薄片の厚さ100umを溶かす両面の磨く区域4インチ（100mm）の


プロダクト変数。 8inch siのウエファーのため
 プロダクト サイズ。 8インチのsingle-sided磨かれたシリコンの薄片
生産方法。  Czochralski （CZ）
直径および許容mm. 200±0.3mm
モデル/タイプを添加する。 Nのタイプ（リン、ヒ素） Pのタイプ（ほう素は添加した）
水晶オリエンテーション。<111><100><110>
  抵抗。 0.001-50 （オームcm） （異なった抵抗の範囲は顧客の要求に従ってカスタマイズすることができる）
平坦TIR。<3um>  25部分を<0> 詰める荒さのRAは100レベルのクリーン ルームの二重層の真空パックを包む
 
プロセス、PVD/CVDのコーティング、マグネトロンの放出させる成長のサンプル基質としてのために使用される、XRD、SEM、原子力、赤外線分光学、蛍光性の分光学および他の分析およびテストの基質の分子線エピタキシャル成長法の成長の基質、X線分析の水晶の半導体の石版印刷のような放射光のサンプル キャリア

発注情報は下記のものを含まなければならない:
1.抵抗
2.サイズ:2つは、3"、4"、5"、他のサイズ カスタマイズすることができる
3.厚さ
4. 1面に磨くことの両面に磨くことの磨くこと
5.等級:機械等級、テスト等級、主な等級（フィルム ポジ）
6.伝導性のタイプ:Pのタイプ、Nのタイプ
7.水晶オリエンテーション
7.タイプを添加すること:、ほう素添加される、リン添加される、ヒ素添加される、アンチモン添加されるガリウム添加される、undoped
8. TTVは、曲がる（正常な価値はある <10um>