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詳細情報 |
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| 前面: | CMP 磨き,Ra < 0.5 Nm (単面磨き,SSP) | 熱膨張係数: | 2.6·10-6°C -1 |
|---|---|---|---|
| ゆがみ: | 30μm | RRV: | 8% (6mm) |
| 第一次平らな長さ: | 32.5 +/- 2.5mm | 二次平らな長さ: | 18.0 +/- 2.0mm |
| 厚さ: | 525 Um +/- 20 Um (SSP) | 種類/ドーパント: | P/ボロン |
| ハイライト: | 磨いた単結晶半導体基板,電子装置 シ・ウェーファー,2 " シングルクリスタル・シ・ウェーファー |
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製品の説明
製品説明:
半導体産業における基本的な部品であり,電子機器の製造において重要な役割を果たしています.半導体材料優れた電気特性があるため,これらのウエフルの製造に使用されます.
シリコン・ウェーバーは,通常,単一結晶のシリコンから作られる薄い円状の基板である.生産プロセスは,結晶性シリコンの円筒状のブロックを育成することを含む.精密切断技術で薄い片に切る表面が滑らかで平らになるように, resulted wafers は磨かれます.
これらのウエファは統合回路 (IC) や他の半導体装置の作成の基盤として機能します半導体 の 製造 過程 に は,シリコン ウェーファー に 様々な 材料 を 積む こと が 含ま れ て い ます複合的なパターンを作成し,トランジスタ,ダイオード,その他の電子部品を形作るエッチングを行います
Siウエフルは,直径が通常100〜300ミリメートルで,さまざまなサイズで用意されています.ウエフルのサイズ選択は,業界標準と製造要件によって異なります.大きいウエフが生産効率を高め,チップ1枚あたりコストを削減する.
半導体産業は,コンピュータ,スマートフォン,その他の電子システムなどの電子機器で使用されるマイクロチップの大量生産のために,シリコンウエファーに大きく依存しています.技術 の 継続 的 な 進歩 は,より 小さく より 強力 な 半導体 装置 の 開発 に 繋がっ て い ます高品質のシリコン・ウエフルの需要を増加させる.
結論として シリコンウェーバーは 現代の半導体装置の構成要素で 日常に使われている電子機器に 電源を供給する 集積回路の製造を容易にするものです精密な製造と半導体産業における重要な役割は,電子機器の世界における重要な要素となっています.
特徴:
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結晶構造:Si ワッフルは通常,単一のシリコン結晶から育てられ,よく定義された結晶格子構造を示します.この単結晶構造は,半導体装置の性能と安定性にとって不可欠です.
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純度:高純度シリコンは,不純物に対する厳格な制御により,シリコンの重要な特徴である.高純度シリコンは半導体装置の信頼性と性能を保証する.
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導電性:シリコンは半導体材料で その伝導性は ドーピングによって影響されますシリコンの電導性はトランジスタのような電子機器の製造に制御できる.
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サイズ:Si Wafer の寸法は,一般的に直径と厚さで記述される.一般的な直径は100mm,200mm,300mm,厚さの選択は製造プロセスとデバイス設計に影響を与える.
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表面の滑らかさ:Si ワッフルの表面は,平らさと滑らかさを確保するために精密な磨きを受けます.これは,光立体学などの製造プロセスの正確性にとって重要です.
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熱膨張係数温度変化時のストレスや変形を防ぐために,シワフールの熱膨張係数は他の材料と一致し,デバイスの安定性を確保する必要があります.
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平らさ:Si ワッフルの平らさは,写真リトグラフィーのような製造プロセスにおいて極めて重要であり,パターンの正確な複製を保証します.
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光学透明性:いくつかのアプリケーションでは,Si ウェーファーは光学装置の製造をサポートするために良い光学透明性を示さなければなりません.
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化学的安定性Si ワッフルは,様々な化学環境で相対的な安定性を示し,様々な半導体プロセスのための理想的な基質となっています.
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処理可能性:Si ウェーファーは加工し,準備しやすいため,半導体産業で最も一般的に使用される基礎材料の1つです.
技術パラメータ:
| テクニカルパラメータ | 価値 |
|---|---|
| 二次平面長さ | 18.0 +/- 2.0mm |
| 基板材料 | 単結晶シリコン・ウェーバー |
| 電気抵抗性 | 10〜20オムセンチメートル |
| 酸素含量 | 1.6 × 10^18 原子/cm3 |
| 種類/ドーパント | P/ボロン |
| 厚さ | 525 Um +/- 20 Um (SSP) |
| 主要的な平面方向性 | <110> +/-1°C |
| 直径 | 100mm +/- 0.5mm |
| 前面 | CMP 磨き,Ra < 0.5 Nm (単面磨き,SSP) |
| 成長方法 | MCZ |
| 薄膜技術 | 超厚いシリコンオキシド・ウェーファー |
| 申請 | - |
応用:
集積回路 (IC): Si ウェーファは電子機器で使用される集積回路の製造のための主要な基板です.
トランジスタ: 電子回路の基本部品であるトランジスタの製造にはシリコンウェーバーが不可欠です
ダイオード:シ・ウェーバーは,様々な用途を持つ不可欠な半導体装置であるダイオードの製造の基礎として使用されます.
マイクロプロセッサ:マイクロプロセッサ,コンピュータや電子機器の脳を製造する際は,Siウエファーに大きく依存しています.
メモリデバイス:Siウエフは,RAMとフラッシュメモリを含む様々なタイプのメモリデバイスを生産するために使用されます.
太陽電池: シリコン・ウェーバーは 太陽電池の製造における重要な材料であり,太陽光を電気エネルギーに変換します.
光電子装置:シワウエフは,光発光二極管 (LED) や光検出器などの光電子装置の製造に役立っています.
センサー: シリコンウェーファーは圧力,温度,運動センサーなどのアプリケーションのためのセンサーの製造に使用されます.
MEMS装置:加速計や陀螺計などのマイクロ電気機械システム (MEMS) 装置は,Siウエファーで製造される.
電力装置:シワウエフは,電力電子と電気システムで使用される電力半導体装置の生産に貢献する.
ラジオ周波数 (RF) デバイス:Siウエフは,無線通信と信号処理のためのRFデバイスの作成に使用されます.
マイクロコントローラー:Siウエファは,様々な電子システムで見られるマイクロコントローラの製造に不可欠です.
アナログ回路:シリコンウエファは,電子機器における連続信号処理のためのアナログ回路を製造するために使用されます.
光ファイバーコンポーネント:Siウエフは光ファイバー通信システムの部品の製造に重要な役割を果たします.
バイオメディカルセンサー:シリコンウエファーは,グルコースセンサーやDNAマイクロアレイを含むバイオメディカルアプリケーションのためのセンサーの生産に使用されます.
スマートフォン: Si ウェーファは,様々な機能のためにスマートフォンで使用される半導体チップの生産に貢献します.
自動車電子機器:シウエフは,エンジン制御ユニットを含む自動車電子機器のための半導体部品の製造に使用されます.
消費者電子機器:テレビ,カメラ,オーディオデバイスなどのさまざまな消費者電子機器は,電子部品にSiウエファーを組み込む.
ワイヤレス通信機器: Si ウェーファは,ルーターやモデムなどのワイヤレス通信機器で使用されるチップの製造に不可欠です.
デジタル信号プロセッサ (DSP): デジタル信号処理アプリケーションのための専門マイクロプロセッサであるDSPの製造に使用されるシリコンウェーバー.
カスタマイズ:
我々は,以下の属性を持つカスタマイズされた半導体基板サービスを提供することに特化した:
- ブランド名: ZMSH
- モデル番号:シワフラー
- 原産地:中国
- 厚さ: 525 Um +/- 20 Um (SSP)
- 炭素含有量:0.5ppm
- 酸素含有量: 1.6 X 10^18 アトム/cm3
- 副平面の向き: プライマリ平面から90°
- パッケージ:Aクラス100 クリーンルーム環境で 25個分のカセットで
- 表面酸化: 伝導性の向上のためにユニークな酸化層で処理
- 伝導性:半導体用途の高伝導性材料
- 半導体材料: 品質,信頼性,性能の最高水準を満たすために設計された
サポートとサービス
半導体基板の技術サポートとサービス
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