• 2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100
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2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100

2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100

商品の詳細:

起源の場所: China
ブランド名: ZMSH
モデル番号: GaP wafer

お支払配送条件:

最小注文数量: 5
受渡し時間: 2-4週
支払条件: T/T
ベストプライス 連絡先

詳細情報

粒子計算: N/A ゆがみ: マックス:10
エッジの丸め: 0.250mmR 表面 仕上がり: 磨いたもの
移動性: ミニ:100 ドーパント: S
TTV/TIR: マックス:10 行為の種類: S-C-N
ハイライト:

2インチガップウエファー

,

LED LD GaP ウェーファー

製品の説明

OF位置/長さ EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD モビリティ Min 100

製品説明:

GaPウェーファーは,主に様々な電子機器や光電子機器の製造に使用される半導体基板である.ガリウム・フォスフィード (GaP) ワッフルは,半導体技術において欠かせないものとする,優れた光学および電子特性を表していますこれらのウエファは,異なるスペクトルで光を生成する能力で有名で,赤,緑,黄色からなる色でLEDとレーザーダイオードを生産することができます.

約2.26電子ボルト (eV) の広い帯域隙は,GaPウエファが特定の波長の光を効率的に吸収することを可能にします.この機能は光電子アプリケーションにとって重要です.フォトデテクターにとって優れた選択肢です照明を吸収する装置です.

さらに,GaPは強力な電子伝導性と熱安定性を示しており,高周波電子機器や熱管理が不可欠なアプリケーションに適しています.

GaPウエファは,デバイスの製造のための基礎材料として機能するだけでなく,他の半導体材料の表軸成長のための基板としても機能します.化学的 安定性 と 格子 の 相対 的 に 適合 し た パラメータ は,高品質 の 半導体 層 の 堆積 や 製造 に 適した 環境 を 提供 し て い ます.

基本的には,GaPウエファは非常に汎用的な半導体基板で,LED,レーザーダイオード,高周波電子機器,優れた光学性能により光電子部品のスペクトル電気や熱性

2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100 0

特徴:

  • 製品名:半導体基板のGAPウェーファー
  • 超厚いシリコンオキシド・ウェーバー
  • シリコンオキシドのウエフラー
  • GaP・ウェーファー管のタイプ: S-C-N
  • 導電性
  • 移動力: Min 100
  • GaP・ウェーバーの向き角度: N/A
  • GaP・ウェーファー粒子数: N/A
  • 厚さ: ミニ 175 マックス 225
  • 電気伝導性:GaPは良い電気伝導性を示します.信頼性の高い電子性能が不可欠な高周波電子機器やアプリケーションでの使用に貢献する.
  • 熱安定性:GaPは熱伝導性と安定性を有し,効果的な熱管理を必要とするアプリケーションに適しています.
  • 基板機能: GaPウエフは,デバイスの製造のための基礎材料としてだけでなく,上軸成長のための基板としても使用されます.追加の半導体層の堆積を許可する他の材料との相容性と比較的一致した格子パラメータは,高品質の半導体層の成長を促進します.
2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100 1

技術パラメータ:

パラメータ 価値
オリエンテーションアングル N/A
表面 仕上がり 磨いたもの
インゴ CC ミニ:1E17 マックス:1E18 Cm3
グレード A について
エピレディ そうだ
場所/長さ EJ[0-1-1]/ 16±1mm
ワープ マックス:10
粒子数 N/A
ドーパント S
耐性 ミン:0.01 マックス0.5 Ω.cm
 

応用:

  • LEDとレーザー装置の製造:GaPウエファは,LEDとレーザーダイオード (LD) の製造に使用される.特殊な光学特性により,赤色など様々な波長で光を生成できる.これは,GaPを照明,ディスプレイ,指示灯,レーザー装置のアプリケーションに不可欠にしている.
  • GaPウェーバー光検出器: GaPは,特定の波長で優れた光吸収能力があるため,光検出器の製造に使用される.これらの検出器は,特定の波長範囲内の光信号を受信し検出するために使用されます.赤外線を含む.
  • GaP・ウェーファー太陽電池: GaP・ウェーファー太陽電池は,他の材料と比較して効率が低いものの,特定のスペクトル内で良い光吸収特性を示しています.これは,太陽光発電のアプリケーションにおける特定の波長範囲に適しています..
  • 半導体装置:GaPは,半導体材料として,特定の波長範囲のために設計された光学装置の準備に使用されます.電子特性が原因で高周波電子機器の製造に使用される.
  • 一般的に,GaPウエファは光電子と半導体装置の分野において重要な役割を果たします.特にLED,レーザー装置,光検出器,特定の波長範囲に設計された光学装置.
 

カスタマイズ:

ZMSH GaP ウェッファー パーソナライズ サービス

ブランド名: ZMSH

モデル番号:GAPウエファー

原産地:中国

マックス10

材料:GP

IF 位置/長さ:EJ[0-1-1]/7±1mm

グレード:A

補強剤:S

高品質の半導体材料を用いて 薄膜技術と電酸化で ZMSH GaP Wafer のカスタマイズされたサービスを提供しています

 

サポートとサービス

半導体基板の技術サポートとサービス

我々は,我々の半導体基板製品の技術サポートとサービスを提供します. 私たちのサポートとサービスには,含まれます:

  • 24/7 の技術サポートホットライン
  • 無料ソフトウェアとファームウェア更新
  • 施設内の整備・修理サービス
  • オンライン技術サポートフォーラム
  • 遠隔診断とトラブルシューティング
  • 交換部品とアクセサリー

経験豊富なエンジニアのチームは,あらゆる質問に答え,インストール,セットアップ,トラブルシューティングの助けを提供します.私たちは最高レベルの顧客サービスを提供することを信じています.私たちの技術サポートとサービスについてもっと知るために今日私たちに連絡してください.

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