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詳細情報 |
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| 材料: | GaAsの基質のウエファー | サイズ: | 2inch 3inch 4inch 6inch |
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| 成長方法: | VGF | EPD: | <500> |
| ドーパント: | Si添加されたZn添加されたundoped | TTV DDP: | 5um |
| TTV SSP: | 10um | オリエンテーション: | 100+/-0.1度 |
| ハイライト: | エピタキシアル成長の半導体の基質,PのタイプGaAsのウエファー,GaAsのウエファーの半導体の基質 |
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製品の説明
エピタキシアル成長のためのVGF 2のインチ4Inch NのタイプPのタイプGaAsのウエファーの半導体の基質
VGF 2inch 4inch 6inchのエピタキシアル成長のためのnタイプの主な等級GaAsのウエファー
ガリウム砒素は抵抗のsemi-insulating抗力が高い材料にケイ素およびゲルマニウムより高い集積回路の基質、赤外線探知器、ガンマの光子の探知器、等を作るのに使用されている3つ以上の一桁作ることができる。電子移動度はケイ素のそれより大きい5から6倍ので、マイクロウェーブ装置および高速デジタル回路の製造で重要な適用がある。ガリウム砒素から成っているガリウム砒素はケイ素およびゲルマニウムより高い集積回路の基質および赤外線探知器を作るのに使用されている3つ以上の一桁の抵抗のsemi-insulating抗力が高い材料に作ることができる。
1. 光電子工学のガリウム砒素の適用
2. マイクロエレクトロニクスのガリウム砒素の適用
3. コミュニケーションのガリウム砒素の適用
4. マイクロウェーブのガリウム砒素の適用
5. 太陽電池のガリウム砒素の適用
GaAsのウエファーの指定
| タイプ/添加物 | 半絶縁される | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 適用 | マイクロEletronic | LED | 半導体レーザー | |
| 成長方法 | VGF | |||
| 直径 | 2"、3"、4"、6つ | |||
| オリエンテーション | （100） ±0.5° | |||
| 厚さ（µm） | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | 米国EJかノッチ | |||
| キャリア集中 | - | （0.5-5） *1019 | （0.4-4） *1018 | （0.4-0.25） *1018 |
| 抵抗（オームcm） | >107 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 |
| 移動性（cm2/V.S.） | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 腐食ピッチ密度（/cm2） | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] （µm） | <5> | |||
| TTV [P/E] （µm） | <10> | |||
| ゆがみ（µm） | <10> | |||
| 終わる表面 | P/E P/P E/E | |||
注:他の指定は要望に応じて利用できるかもしれない
ガリウム砒素は化合物半導体の最も重要な、最も広く利用された半導体材料であり、それはまた生産の現在最も成長した、最も大きい化合物半導体材料である。
使用されたガリウム砒素装置は次のとおりである:
- マイクロウェーブ ダイオード、Gunnのダイオード、バラクター ダイオード、等。
- マイクロウェーブ トランジスター:電界効果トランジスタ（FET）、高い電子移動度のトランジスター（HEMT）、ヘテロ接合の両極トランジスター（HBT）、等。
- 集積回路:マイクロウェーブ単一集積回路（MMIC）、超高度の速度の集積回路（VHSIC）、等。
- ホールの部品、等。
- 赤外線発光ダイオード（IR LED）;目に見える発光ダイオード（基質として使用されるLED）;
- 半導体レーザー（LD）;
- 軽い探知器;
- 高性能の太陽電池;
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