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詳細情報 |
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| layer: | GaN template | layer thickness: | 1-5um |
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| Melt point (°C): | 1725°C | Conductivity: | Semi-insulating, Fe-doped，Mg-doped |
| Electrical Resistivity: | >1E6 Ohm-cm | Density: | 5.95 g/cm3 |
| ハイライト: | 2inchガリウム酸化物のウエファー,ベータ係数Ga2O3のウエファーの基質,ガリウム酸化物の半導体の基質 |
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製品の説明
ガリウム酸化物のEpiwafersベータ係数Ga2O3ガリウム酸化物のウエファーはMg Fe3+の正方形の基質Dsp Sspを添加した
ガリウム酸化物（Ga2O3）に溶解の源から大きいバンド ギャップ エネルギーおよびそれが育つことができるある。その結果、大きい、良質のsingle-crystal基質は低料金で製造することができる。これらの特徴はGa2O3に次世代のパワー エレクトロニクスのための有望な材料を作る。それにまた青いLEDまたはUVB LEDのシリーズ抵抗を減らす高い利点がある。
β-Ga2O3は広いバンド ギャップの半導体材料のガリウム酸化物の混合物である。その結晶構造は六角形の水晶システムに、高い電子移動度および大きい帯域幅と属する、従って広い適用見通しがある。β-Ga2O3についてのある細部はここにある:
物理的性質:
結晶構造:六角形の水晶システム
密度:5.88 g/cmの³
一定したに格子をつけなさい:= 0.121 nm、c = 0.499 nm
融点:1725の°C
R.i.:1.9-2.5
透明な波長範囲:0.23-6.0μm
電気特性:
帯域幅:4.8eV
電子移動度:200-600 cmの² /Vs
漏出率:10^ -5-10 ^-10 A/cmの²
レドックス潜在性:2.5V対NHE
広いバンド ギャップおよび高い電子移動度のために、β-Ga2O3にパワー エレクトロニクス、photoelectronics、太陽電池および他の分野で広い適用見通しがある。特定の適用は下記のものを含んでいる:
紫外探知器およびレーザー
高い発電のMOSFETsおよびショットキー ダイオード
高温センサーおよび潜在的なセンサー
太陽電池およびLED材料
β-Ga2O3はまだ結晶成長、不純物制御、装置製作、等のような準備そして適用のある挑戦に、直面する。但し、技術の連続的な開発と、β-Ga2O3の適用見通しはまだ非常に広い。
| ガリウム酸化物、Ga2O3単結晶 | 2inch基質 | 10*15mmの基質 | |||||
| オリエンテーション | （- 201） | （- 201） | （- 201） | （010） | （010） | （010） | |
| 添加物 | Sn | Un-doped | Sn | Sn | Un-doped | Fe | |
| 伝導性 | nタイプ | nタイプ | nタイプ | nタイプ | nタイプ | 絶縁材（>1010 | |
| Nd Na （cm3） | 5E17~9E18 | 5E17またはより少なく | 5E17~9E18 | 1E18~9E18 | 1E17~5E17 | - | |
| 次元 | A-B （mm） | 50.8±0.3 | 50.8±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 |
| CD （mm） | 41~49.8 | 41~49.8 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | |
| 厚さ | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | |
| 参照（m | Fig.1 | Fig.1 | Fig.2 | Fig.3 | Fig.3 | Fig.3 | |
| オフセット角 （程度） |
[010]:0±0.4 | [010]:0±0.4 | [010]:0±0.4 | 丄[102]:0±1 | 丄[102]:0±1 | 丄[102]:0±1 | |
| [102]:0.7±0.4 | [102]:0.7±0.4 | [102]:0.7±0.4 | [102]:0±1 | [102]:0±1 | [102]:0±1 | ||
| FWHM （arcsec） | [010]:150またはより少なく | [010]:150またはより少なく | [010]:150またはより少なく | 丄[102]:150または | 丄[102]:150または | 丄[102]:150または | |
| [102]:150またはより少なく | [102]:150またはより少なく | [102]:150またはより少なく | [102]:150またはより少なく | [102]:150またはより少なく | [102]:150またはより少なく | ||
| 表面 | 前部 | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP |
| 荒い | 荒い | 荒い | 荒い | 荒い | 荒い |
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| 項目 | 指定 | |||||
| オリエンテーション | -100 | |||||
| 添加される | UID | Mg | Fe | |||
| 電気変数 | 1 ×1017~3×1018cm-3 | ≥1010 Ω·cm | ≥1010 Ω·cm | |||
| 対水晶の振動カーブの半高さの幅 | ≤150 | |||||
| 転位密度 | <1×10 5つのcm-2 | |||||
| 次元 | A-B | CD | 厚度 | |||
| 10mm | 10.5mm | 0.5の（±0.02） mm | ||||
| 5mm | 10mm | 0.5の（±0.02） mm | ||||
| 平坦 | 長い側面は[010の]オリエンテーションである | |||||
| 表面 | DSP/SSP | |||||
| RA<0> | ||||||
| Mis<> | ||||||
