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商品の詳細:
| Place of Origin: | China |
| ブランド名: | ZMSH |
| モデル番号: | SiC |
お支払配送条件:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2-4 weeks |
| Payment Terms: | T/T |
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詳細情報 |
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| polytype: | 4H | surface orientation: | <11-20>4±0.5 |
|---|---|---|---|
| dopant: | n-type Nitrogen | resistivity: | 0.015~0.025ohm ·cm |
| diameter: | 200±0.2 mm | thickness: | 500±25 um |
| エッジ: | シャムファー | surface finish: | Si-face CMP |
製品の説明
8インチ 4H-N型 SiC ウェーファー厚さ 500±25um n ドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピングドーピング
8インチ4H-Nタイプ SiCウエファーの抽象
この研究では,半導体用用の8インチ4H-N型シリコンカービッド (SiC) ウェーファの特徴を提示する. 500±25μm厚さのウェーファは,最先端の技術を用いて製造され,n型不純物で塗装されているX線 difrction (XRD),スキャニング電子顕微鏡 (SEM),ホール効果測定を含む特徴化技術が,結晶質,表面形状,ウェファーの電気特性XRD解析はSiCウエファの4H多型構造を確認し,SEM画像は均質で欠陥のない表面形状を明らかにした.ハール効果の測定により,ウエファー表面全体で一貫して制御可能なn型ドーピングレベルが示された.この結果は,8インチの4H-N型SiCウエファが高性能半導体装置で使用されるための有望な特性を示唆しています.特に高電力と高温操作を必要とするアプリケーションではこの材料プラットフォームの潜在能力を完全に利用するために,さらなる最適化とデバイス統合研究が保証されています.
8インチ4H-N型 SiCウエファーの特性
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結晶構造: 4Hポリタイプを持つ六角結晶構造を示し,半導体アプリケーションに有利な電子特性を備えています.
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ワッファー直径: 8インチ,デバイス製造と拡張性のための大きな表面面積を提供します.
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ワッファー厚さ: 通常は500±25μmで,機械的な安定性と半導体製造プロセスとの互換性を保証する.
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ドーピング: N型ドーピングで,水晶格子に余分な自由電子を生むため,窒素原子が意図的に不純物として導入される.
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電気特性:
- 高電子移動性により効率的な電荷輸送が可能になります
- 低電気抵抗性で電気の伝導を容易にする
- 制御され,ワッフル表面全体に均等なドーピングプロファイル.
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材料純度:高純度SiC材料で不純度や欠陥が低く,デバイスの信頼性の高い性能と長寿を保証する.
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表面形状: 表面形状は滑らかで欠陥のないもので,上軸生長と装置製造プロセスに適しています.
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熱特性:高熱伝導性と高温での安定性により,高電力および高温アプリケーションに適しています.
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光学特性: 広い帯域のエネルギーと可視および赤外線スペクトルにおける透明性,光電子デバイスの統合を可能にします.
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メカニカルプロパティ
- 高度な機械強度と硬さにより,取り扱いや加工中に耐久性や弾性がある.
- 低熱膨張係数で,温度サイクル中に熱ストレスによる裂け込みのリスクを軽減する.
番号 ポイント ユニット 生産 研究 愚か者 1 ポリタイプ 4H 4H 4H 2 表面の向き ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 3 ドーパント n型窒素 n型窒素 n型窒素 4 抵抗力 オーム ·cm 0.015~0025 00.01~0 だった03 5 直径 mm 200±0で2 200±0で2 200±0で2 6 厚さ μm 500±25 500±25 500±25 7 ノッチ向き ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5 8 ノッチ深さ mm 1〜15 1〜15 1〜15 9 LTV μm ≤5 (±10mm×10mm) ≤5 (±10mm×10mm) ≤10 ((10mm×10mm) 10 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15 11 身をかがめる μm 25~25 45~45 65~65 12 ワープ μm ≤30 ≤50 ≤70
8インチ4H-N型 SiCウエファーの画像
8インチ4H-Nタイプ SiCウェッファー のアプリケーション
電力電子機器: SiCウエファは,Schottkyダイオード,MOSFET (金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ) などの電力装置の製造に使用されています.IGBT (隔離ゲート双極トランジスタ)これらの装置は,SiCの高断熱電圧,低オン状態抵抗,高温性能に恩恵を受け,電気自動車のアプリケーションに適しています.再生可能エネルギーシステム電力配送システム
RF とマイクロ波装置: SiCウエファは,高い電子移動性と熱伝導性により,高周波RF (ラジオ周波数) とマイクロ波装置の開発に使用されています.応用には,高功率増幅器も含まれます.効率的な電源処理と高周波操作を SiC の性能優位性が可能にする.
光電子機器: SiC ウェーファは,紫外線 (UV) 光検出器,発光二極管 (LED) やレーザー二極管などの光電子装置の製造に使用されます.SiC の 幅 の 広い 帯域 隙間 と UV 帯 の 光学 透明性 は,UV センサー の 応用 に 適し な もの です高明度のUVLEDも使用できます
高温電子機器: SiCウエーファーは,厳しい環境や高温で動作する電子システムに好ましい.アプリケーションには,航空宇宙電子機器,ダウンホール掘削機器,自動車エンジン制御システム,SiCの熱安定性と信頼性が極端な条件下で動作することを可能にする.
センサー技術: SiCウエファは,温度センサー,圧力センサー,ガスセンサーなどのアプリケーションのための高性能センサーの開発に使用されます.SiC を ベース に する センサー は,高い 感度 などの 利点 を 提供 し ます工業,自動車,航空宇宙の用途に適しています.