製品の説明

抽象

 
4Hについて半断熱性シシ基板は,幅広い用途を持つ高性能半導体材料である.その名前は4H結晶構造上の成長から得られた.この基板は 特殊な電気特性があります高抵抗性と低キャリア濃度を含むため,無線周波数 (RF),マイクロ波,電力電子機器に理想的な選択肢です.
 
4-H の主要特徴半断熱性シシ基板には非常に均質な電気特性,低汚れ濃度,優れた熱安定性がある.高周波RF電源装置の製造に適している高温電子センサーやマイクロ波電子機器高断裂場強度と優れた熱伝導性も,高電力装置のための好ましい基板として位置.
 
さらに,4Hは半断熱性シシ耐腐食性のある環境で動作し,応用範囲を広げることができる.半導体製造などの産業において重要な役割を果たしています電気通信,防衛,高エネルギー物理実験
 
概要すると 4H は半断熱性シシ優れた電気性および熱性を持つ基板半導体分野では大きな期待を寄せており,高性能電子機器の製造に信頼できる基盤を提供します..
 

属性

高功率電子機器:半断熱性シシ高電圧と高熱伝導性により,高電力および高周波の電子機器に最適です.電源MOSFET,ダイオード,IGBTで使用されます.
 
高熱伝導性と低損失により半断熱性シシマイクロ波電源増幅器やRFトランジスタなどのRFデバイスで使用される.
 
オプトエレクトロニクス装置:半断熱性シシ優れた光電子特性も示しており,LED,レーザー,光検出器の製造に適しています.
 
高温環境における電子機器:材料の高溶融点と優れた化学的安定性により半断熱性シシ高温環境で動作する電子機器,例えば航空宇宙,自動車,産業プロセス制御に使用される.
 
放射性硬化装置:半断熱性シシ放射線に強い耐性があるため,原子炉や宇宙での放射性硬化電子機器に適しています.
 
センサー: 独特の特性半断熱性シシ材料は,温度センサー,圧力センサー,化学センサーなどの様々な種類のセンサーの製造に適しています.
 

特徴:

高耐性半断熱性シシ非常に高い抵抗性を有し,電流の流れを効果的に阻害できるため,高電力電子機器の隔熱層として使用するのに適している
 
高熱伝導性SiC材料は熱伝導性が非常に高く,装置から熱を迅速かつ効率的に散布し,装置の性能と信頼性を向上させます.
 
高断熱電圧:半断熱性シシ断熱電圧が非常に高いので 高電圧のアプリケーションでは断熱しない状態で動作できます
 
優れた化学安定性SiC化学的に安定し,多くの酸と塩基に強い耐性がある.
 
高度な溶融点:SiC極めて高い溶融点,約2,730°C (4,946°F) を有し,極端な高温環境でも安定性を維持できる.
 
放射容量:半断熱性SiC放射線に強い耐性を有し,原子炉や宇宙で優れた性能を持っています.
 
優れた機械特性:SiC非常に硬い素材で 耐磨性も強さも優れています
 
広帯域半導体:SiC電子移動性が高く,流出電流が低く,高温高周波の電子機器で優れた性能をもたらす広帯域半導体である.
 

梱包と輸送:

シリコンカービッド (SiC) ウェーバーは,主に電源電子機器に使用される半導体材料の薄いスライスです.適切な梱包と輸送の指示に従うことが重要です.

パッケージ

• ワッフルは,ESDの安全なパッケージで出荷する必要があります.
• 各ワッフルは,ESD泡や泡紙などのESD安全な材料で包装する必要があります.
• パッケージはESDセーフテープで封印する必要があります.
• パッケージにはESD安全記号と"脆弱性"のステッカーが貼られなければなりません.