• 8インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質
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8インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質

8インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 4h-n

お支払配送条件:

最小注文数量: 1PCS
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 1-6weeks
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1-50pcs/month
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: SiCの単結晶の4H-Nタイプ 等級: ダミー/研究/生産
Thicnkss: 0.5MM/10-15mm Suraface: 磨かれた
適用: テストの忍耐 直径: 8inch
色:
ハイライト:

8インチ200mm SiCのウエファー

,

インゴットSiCの基質

,

Nのタイプ炭化ケイ素のウエファー

製品の説明

二重側面のポーランドの炭化ケイ素のウエファー2-8」4H N -添加されたSiC Wafers/8inch 200mm NタイプSiCの水晶ウエファーのインゴットSiC substrate/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶(sic)の基質のウエファー

炭化ケイ素(SiC)の水晶について

 

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

 

SICのウエファーの記述
4インチ伝導性SiCのウエファーの指定
プロダクト 4H SiC
等級 等級I 等級II 等級III
多結晶性区域 どれも割り当てなかった どれも割り当てなかった <5>
polytype区域 どれも割り当てなかった ≤20% 20% | 50%
Micropipe密度) < 5micropipes=""> < 30micropipes=""> <100micropipes>
総使用可能な区域 >95% >80% N/A
直径 100.0 mm +0/-0.5 mm
厚さ 500 μmの± 25のμmか顧客の指定
添加物 nのタイプ:窒素
第一次平らなオリエンテーション) ± 5.0° <11-20> への垂直
第一次平らな長さ ± 32.5 mmの2.0 mm
二次平らなオリエンテーション) 第一次平らな± 5.0°からの90° CW
二次平らな長さ) ± 18.0 mmの2.0 mm
軸線のウエファーのオリエンテーション) {0001の} ± 0.25°
軸線のウエファーのオリエンテーションを離れて ± 0.5° <11-20> または顧客の指定の方の4.0°
TTV/BOW/Warp < 5="">
抵抗 0.01~0.03 Ω×cm
表面の終わり Cの表面光沢。Siの表面CMP (Siの表面:Rq < 0="">

二重側面の光沢

 
 

 

8インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質 08インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質 18インチ200mm Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの水晶インゴットSiCの基質 2

カタログの共通のサイズ
    
 

 

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット
2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

8インチ4H Nタイプ

 

 
4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー

2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
8インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
 
 
 

 

 

SiCの適用

 

アプリケーション領域

1:高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOSFET

2:光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料(GaN/SiC)で主にLED使用されて

 

FAQ:

Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。

:(1)私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れる。

(2)それはない、私達がそれらを出荷するのを助けることができればうまくあなた自身の明白な記述があればである、

貨物は実際の解決に従ってある。

 

Q:支払う方法か。

:配達の前のT/T 100%の沈殿物。

 

Q:あなたのMOQは何であるか。

:(1)目録のための、MOQは1pcsである。2-5pcsがそれよりよければ。

(2)カスタマイズされた共通プロダクトのための、MOQは10pcsである。

 

Q:受渡し時間は何であるか。

:(1)標準的なプロダクトのために

目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。

カスタマイズされたプロダクトのため:配達はあなたの後の2 -4週順序の接触である。

 

Q:標準的なプロダクトがあるか。

:在庫の私達の標準的なプロダクト。同様な基質4inch 0.35mmとして。

 

 

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