製品の説明

半絶縁型3インチシリコンカービッドウエファー 4H N型CVD向き:4.0°±0.5°

3インチシリコン・カービッドのセミ・インソレーション

The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesSiCベースの技術の主要な利点は,スイッチング損失の削減,より高い電力密度,よりよい熱分散,および帯域幅の向上です. システムレベルで,これは,低コストでエネルギー効率を大幅に向上させる非常にコンパクトなソリューションをもたらしますSiC技術を使用する現在のおよび予測される商業用アプリケーションのリストは,スイッチング電源,太陽光発電と風力発電のためのインバーター,工業用モータードライブHEVやEV車やスマート・グリッドの電源切り替え

3インチシリコン・カービッド・ウエフルの主要機能

3インチ半断熱性シリコンカービッドウエファーは 半導体の様々な用途に不可欠な 重要な特徴を持っていますこれらのウエファは,高性能電子機器の製造に不可欠な基質を提供する.電気隔熱度を示す半隔熱特性で,電流漏電を軽減し,電子部品の性能を向上させる.

シリコン カービッド (SiC) は,建設 の 主要 な 材料 で,その 卓越 し た 特性 で 知ら れ て いる 化合物 です.SiC は 高温 の 安定 性,優れた 硬さ,腐食 耐性 を 提供 し て い ます.要求の高いアプリケーションに最適化これらのウエファの半断熱性により,電源増幅器やRFスイッチなどのマイクロ波および無線周波数装置に有利である.電気隔離が最適な性能に不可欠な場合.

半断熱性シリコンカービッドウエファーの顕著な用途の1つは,電力電子機器です.これらのウエファは,SiC・ショットキー二極管とSiC・フィールド効果トランジスタ (FET) の製造に使用される.高圧および高温電源電子の発展に貢献した.材料 の 独特 な 特質 に よれ ば,従来の 半導体 が 効率 的 に 動作 する こと に 苦労 し て いる 環境 に 適し ます.

さらに,これらのウエファは光電子機器,特にSiC光電極の製造に応用されています.紫外線に対するシリコンカービッドの感度により,光学センサーの応用に価値があります高温や厳しい環境などの極端な条件では,半絶縁型SiCウエファがセンサーや制御システムに使用されます.

高温および極端な環境でのアプリケーションでは,安定性と弾力性により半絶縁シリコンカービッドウエファが好まれています.厳しい条件下で動作するように設計されたセンサーと制御システムにおいて重要な役割を果たします.

核エネルギー用途では,シリコンカービードの放射線安定性が優れている.この材料から作られるウェーファーは,核炉内の検出器やセンサーに使用されている.

これらの重要な特徴は 3インチ半絶縁型シリコンカービッド・ウェーバーを 先進的な半導体技術における 重要な部品として位置づけています現代の電子機器と技術主導の産業における重要性を強調しています電子性能と信頼性の限界を押し上げる上で,これらのウエファーの重要性をさらに強化しています.

半絶縁型3インチシリコン・カービッド・ウェーファーの応用

3インチシリコン・カービッド・ウェーバーは 様々な半導体アプリケーションで重要な役割を果たします電子機器やシステムの進歩に寄与するユニークな特性を提供する3インチの直径で,これらのウエファは,高性能電子部品の製造に特に影響力があります.

これらのウエファの半断熱特性が重要な特徴であり,電流漏電を最小限に抑えるための電気隔熱を提供します.この性質は,高い電気抵抗を維持することが不可欠なアプリケーションにとって重要です電子機器や集積回路など.

半絶縁型3インチシリコンカービッドウエファーの主要な用途は,高周波および高電力電子機器の製造です.シリコン・カービッドの優れた熱伝導性と広い帯域が,シュトキー・ダイオードなどの製造装置に適していますこの装置は,電源変換機,アンプ,および無線周波数システムで応用されている.

半導体産業は 極端な条件での センサーや検出器の開発にも これらのウエファを活用しています高温や厳しい環境におけるシリコンカービッドの強さは,厳しい条件に耐えられるセンサーを作るのに適していますこれらのセンサーは航空宇宙,自動車,エネルギーなど様々な産業で使用されています

光電子では,半隔離性シリコンカービッドウエファが光二極管および発光二極管 (LED) の製造に使用される.シリコン・カービッドのユニークな光学特性により,紫外線に敏感なアプリケーションに適していますこれは,光学センサーと通信システムにおいて特に有利です.

原子力産業はシリコンカービッドの放射線抵抗性から恩恵を受けており,これらのウエファーは原子炉で使用される放射線検出器やセンサーに応用されています.厳しい放射線環境に耐える能力は,シリコンカービッドをそのような重要なアプリケーションのための不可欠な材料にします.

研究者や科学者は 材料の特殊な特性によって 半絶縁型3インチシリコンカービッドの 新しい応用を 探求し続けています量子コンピューティングなどの新興分野において重要な役割を果たすでしょう頑丈で高性能な材料が不可欠である.

要約すると,半絶縁型3インチシリコンカービッドウエファーの用途は,電力電子や光電子からセンサーや原子力技術まで幅広い産業に広がっています.その多用性とユニークな性質は,要求の高い環境で効率的に動作する高度な電子システムの開発の鍵となる要素として位置づけられています.

半絶縁型3インチシリコンカービッドのデータチャート

* 典型的な生産値 標準仕様やカスタム要求についてはご連絡ください
** 白光干渉測定法 (250μm x 350μm) で測定された

その他の製品推奨:

サファイア基板

8inch/6inch/5inch/ 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/ a-axis/ r-axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thicknessdiameter300mm 12inch Al2O3 Sapphire wafers carrier with notch SSP DSP 1.0mm C - 軸 サファイア光学ガラス窓