|
詳細情報 |
|||
| 直径: | 100±0.2mm | タイプ/添加物: | P/B |
|---|---|---|---|
| オリエンテーション: | 1−0−0) ±0.5° | 厚さ:: | 220±10nm |
| 耐性: | 8.5-11.5オムセンチメートル | 終わって: | フロントサイド ポーリング |
| 埋葬されたSOI熱酸化物:: | 厚さ: 3μm±5% | SOI ハンドル層:: | 連絡 ください |
| ハイライト: | 100mmのSOIウエフラー,150mmのSOIウエーファー,P型SOIウエファー |
||
製品の説明
SOI ワッファー シリコンオン 絶縁器 100mm 150mm P 型 ドーパント B 装置: 220 抵抗力: 8.5-11.5 オーム・センチメートル
SOI (シリコン・オン・アイソレーター) の製品詳細ページ
製品概要
100mmと150mmの直径で提供されています これらのウエファは高度な電子アプリケーションのために設計されています優れた電気隔離を提供高性能コンピューティング,RF通信,MEMSデバイス,および電力電子機器に最適です.SOIウエフルは最高性能と信頼性を保証します.
仕様
ワッフルの寸法:
- 直径オプション: 100mm (4インチ) と150mm (6インチ)
デバイス層:
- 材料シリコン
- 厚さ: 220ナノメートル
- ドーパントタイプ:P型
- ドーパント要素ボロン (B)
- 耐性:8.5から11.5オムcm
埋葬酸化物 (BOX) 層:
- 材料: シリコン二酸化物 (SiO2)
- 厚さ:アプリケーションのニーズに基づいてカスタマイズできる (通常は200nmから2μmまで)
ハンドル・ウェーファー:
- 材料シリコン
- タイプ:P型 (ボロンドーピング)
- 厚さ: 標準厚さ500~700μmで,堅牢な機械的サポートを提供します.
主要 な 特徴
-
優れた電気隔離:
- BOX層は,デバイス層とハンドル・ウェーファー間の優れた電気隔離を保証し,寄生容量とクロスストークを大幅に削減します.
-
高品質のデバイス層:
- ボロンでドープされた220nm厚のP型シリコン装置層は,さまざまな半導体アプリケーションに最適な電気性能を提供し,高い性能と信頼性を保証します.
-
最適抵抗力:
- 8.5-11.5オム・センチメートルのデバイス層抵抗性は,高速および低電力アプリケーション,導電性と漏れ特性をバランスするために理想的です.
-
強化された熱管理:
- SOI構造により,よりよい熱散が可能になり,高電力または高周波条件下でデバイスの性能と長寿を維持するのに重要です.
-
機械的安定性:
- 厚いハンドルウエファーは堅牢な機械的サポートを提供し,製造プロセスおよび運用環境中にウエファの安定性を保証します.
-
カスタマイズオプション:
- 私たちはBOX層厚さと他のパラメータのカスタマイズを 特定のアプリケーション要件を満たすために提供し,多様な半導体ニーズに柔軟性を提供します.
申請
-
高性能コンピューティング:
- CPU,GPU,および他の高速デジタル論理回路に最適で,速度を向上させ,消費電力を削減します.
-
5GとRF通信
- 優れた隔離と熱特性から恩恵を受けています 電気の供給は
-
MEMS装置:
- 加速計,陀螺計,その他のセンサーなどのMEMS装置の製造に適しており,必要な機械的安定性と精度を提供します.
-
パワーエレクトロニクス
- 熱管理と効率が不可欠な電源スイッチやコンバーターを含む電力管理アプリケーションで使用されます.
-
アナログおよび混合信号回路:
- アナログ回路のパフォーマンスを向上させ,ノイズとクロスストークを削減し,オーディオ処理と信号調節に適しています.
品質 と 信頼性
-
製造基準:
- SOIウエフルは 最高の業界基準で製造され 一貫した品質と性能を保証します
-
品質管理:
- 厳格な品質管理プロセスが実施されており,各ウエファが指定された電気的,機械的,熱的特性を満たしていることを保証します.
-
認証:
- 国際的な半導体製造基準に準拠し,グローバル製造プロセスと互換性を確保する.
注文情報
-
使用可能:
- 100mmおよび150mmSOIウエファは,即時出荷可能である.カスタムサイズと仕様は,要求に応じて対応することができます.
-
パッケージ:
- ワッフルは,輸送中に汚染や損傷を防ぐために,静止性のないクリーンルーム対応容器に安全に梱包されます.
優れた性能と信頼性を備えた SOIウエファーで 半導体アプリケーションをアップグレードしてください
この製品の詳細を知りたい