SiC シングル結晶抵抗加熱結晶成長炉 6インチ 8インチ 12インチ SiCウエファー製造

SiC シングル結晶抵抗加熱結晶成長炉 6インチ 8インチ 12インチ SiCウエファー製造

SiC単結成長炉の抽象

ZMSHは SiC単結成長炉を 高品質のSiCウェーファー製造のための最先端のソリューションとして 誇りに思っています6インチのサイズで効率的に SiC単一の結晶を育てるために設計されています電気自動車 (EV),再生可能エネルギー,高電力電子機器などの産業の需要を満たしています.

SiC単結成長炉の特性

• 先進的な抵抗加熱技術: SiC単結成長炉は 最先端の抵抗加熱技術を使用します均質な温度分布と高品質の結晶生長を保証する.
• 温度制御精度: 結晶の成長過程で ± 1°Cの許容度で正確な温度調節を達成する.
• 汎用性:最大12インチのウエファー用のSiC結晶を育てる能力があり,次世代電力装置のためのより大きな高性能ウエファーの生産が可能である.
• 真空と圧力の管理: 炉は高度な真空と圧力の制御システムで装備されており,結晶の成長のための最適な条件を維持し,欠陥率を削減します.生産性を向上させる.
  
   

  違う 違う	仕様	詳細
  1	モデル	PVT-RS-40
  2	サイズ (L × W × H)	2500 × 2400 × 3456 mm
  3	クルーシブル直径	900 mm
  4	究極の真空圧	6 × 10−4 Pa (1.5hの真空状態後)
  5	漏れ率	≤5 Pa/12h (焼却)
  6	ローテーションシャフト直径	50mm
  7	回転速度	0.5・5回転分
  8	熱する方法	電気抵抗加熱
  9	最低炉温	2500°C
  10	熱力	40 kW × 2 × 20 kW
  11	温度測定	双色赤外線ピロメーター
  12	温度範囲	温度は900〜3000°Cです
  13	温度 精度	±1°C
  14	圧力範囲	"700 mbar
  15	圧力制御の精度	1×10 mbar: ±0.5% F.S. 10×100 mbar: ±0.5% F.S. 100~700 mbar: ±0.5% F.S
  16	操作の種類	底部積載,手動/自動安全オプション
  17	選択可能な特徴	複数の熱帯の二重温度測定

SiC単結成長炉の結果

完璧な 結晶 の 成長

SiC単結成長炉の強みは 高品質で欠陥のない SiC結晶を生産する能力にあります最先端の抵抗加熱技術欠陥密度が最小限に保たれるようにします 欠陥密度が最小限に保たれますこの完璧性は,端末の性能に影響を与える最小の不完全さでさえも,半導体アプリケーションの厳格な要求を満たすために不可欠です.

半導体規格を満たす

我々の炉で生産されるシリコン酸塩は 性能と信頼性において 業界基準を超えています低変位密度と高電導性電気自動車 (EV) に使用されるものを含む次世代電源装置にとって重要な特性である.再生可能エネルギーシステム電気通信機器

ZMSH サービス

ZMSH: 完全サポート付きのカスタマイズ可能なSiC単結成長炉

ZMSHでは,我々は,あなたの特定のニーズを満たすために調整された先進的なSiC単結成長炉を提供します. 私たちのカスタマイズオプションは,あなたの生産要件に完全に適した炉を確保します.,高品質のSiC結晶を手に入れるのに役立ちます

敷地内設置と設置

私たちのチームは 施設内での設置を担当し 炉が統合され 効率的に動いていることを保証します生産プロセスを最適化するために,スムーズなセットアップを優先します.

顧客に対する包括的な訓練

オーブンの操作 メンテナンス トラブルシューティングなど効率的に炉を操作し,最適な結晶成長を達成するための知識であなたのチームを装備することです.

販売後 メンテナンス

ZMSHは,信頼性の高い販売後サポートを提供し, メンテナンスと修理サービスを含めて, オーブンが最高状態を維持することを保証します.私たちのチームは,ダウンタイムを最小限に抑え,あなたの継続的な成功をサポートするために常に利用可能です.

Q&A

Q. シリコンカービッドの結晶成長は?

A:シリコンカービッド (SiC) の結晶の成長は,CzochralskiやPhysical Vapor Transport (PVT) などの方法によって高品質のSiC結晶を作成するプロセスを含みます.電力半導体装置に必須.


キーウッド:SiC シングルクリスタル成長炉    SiC結晶   半導体装置クリスタル成長技術