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炭化ケイ素のウエファー

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接触: Mr. Wang
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  • 中国 4h-N 100um シリコン・カービッド 磨き粉 SIC結晶の成長のために

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  • 中国 12インチ SiC ウェーファー 300mm シリコンカービッド ウェーファー 導電型 ダミー グレード N型 研究級

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  • 中国 4H N型 半型 SiC ウェーファー 6インチ 12インチ SiC ウェーファー SiC 基板 ((0001) 双面ポーリング Ra≤1 nm カスタマイズ

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    ベストプライス
  • 中国 SiC ウェーファー 4インチ 12インチ 4H N型 半型 生産品種 研究品種 ダミー品種 DSP パーソナライズ

    SiC ウェーファー 4インチ 12インチ 4H N型 半型 生産品種 研究品種 ダミー品種 DSP パーソナライズ

    ベストプライス
  • 中国 8インチ 12インチ 4H-N型 SiC ウェーファー 厚さ 500±25um 1000±50 N ドーピド ダミープライム 研究グレード

    8インチ 12インチ 4H-N型 SiC ウェーファー 厚さ 500±25um 1000±50 N ドーピド ダミープライム 研究グレード

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  • 中国 SiC・ウェーファー 2/3/4/6/8 /12インチ 4H-N型 Z/P/D/Rグレード

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    ベストプライス
  • 中国 12インチ SiC ウェーファー 4H-N ダミー 研究 DSP SSP SiC 基板 シリコンカービッド ウェーファー

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  • 中国 8インチ 4H-N SiC ウェーファー 厚さ 500±25μm またはカスタマイズされた N-ドーピング ダミー 生産 研究グレード

    8インチ 4H-N SiC ウェーファー 厚さ 500±25μm またはカスタマイズされた N-ドーピング ダミー 生産 研究グレード

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  • 中国 SiC エピタキシアル・ウェーファー シリコン・カービッド 4H 4インチ 6インチ 高耐性半導体産業

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  • 中国 SiC基板 4H/6H-P 3C-N 145.5 mm~150.0 mm Zグレード Pグレード Dグレード

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