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  • 中国 SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ

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  • 中国 4H-N HPSI 100um シリコンカービッド 磨き粉 SIC結晶成長のための

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  • 中国 9.4 硬さ シリコン・カービッド・ウェッファー シングルクリスタル・ベアリング・パーツ カスタマイズされた形

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