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| ブランド名: | ZMKJ |
| 型番: | 6inch sic |
| MOQ: | 1pcs |
| 価格: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| パッケージの詳細: | 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ |
| 支払条件: | トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム |
4H-N 試験グレード 6インチ直径 150mm シリコンカービッド シングルクリスタル (sic) 基板シック半導体基板シリコン・カービッド結晶・ウェーファー
6 インチ 4H シリコンカービッド SiC 基板 デバイス エピタキシアル 成長のためのウエファー オーダーメイド
シリコンカービッド (SiC) は,カーボリンダムとしても知られており,化学式SiCを持つシリコンと炭素を含む半導体である.SiC は,高温または高電圧で動作する半導体電子機器で使用されます,または両方.SiCは,重要なLEDコンポーネントの1つであり,それは成長するGaNデバイスのための人気のある基板であり,また,高電力LEDの熱分散器として機能します.
1. 仕様
| 6インチ直径,シリコンカービッド (SiC) 基板仕様 | ||||||||
| グラード | MPDグレードはゼロ | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||
| 直径 | 150.0mm±0.2mm | |||||||
| 厚さΔ | 350μm±25μmまたは500±25un | |||||||
| ウェファーの方向性 | 軸外: 4H-Nでは< 1120> ±0.5° 方向へ: 6H-SI/4H-SIでは<0001> ±0.5° | |||||||
| 主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||||||
| 主要平面長さ | 47.5 mm±2.5 mm | |||||||
| エッジ除外 | 3mm | |||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | |||||||
| マイクロパイプ密度 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||
| 耐性 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| 荒さ | ポーランド Ra≤1 nm | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 高強度の光による裂け目 | 何もない | 1 は許容され, ≤2 mm | 累積長 ≤ 10mm,単一の長 ≤ 2mm | |||||
| 高強度光によるヘックスプレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤2% | 累積面積 ≤5% | |||||
| 高強度光による多型エリア | 何もない | 累積面積≤2% | 累積面積≤5% | |||||
| 高強度の光による傷 | 3 傷 1 × ワッフル直径の累積長 | 円盤直径の累積長に 5 割れ | 円盤直径の累積長に 5 割れ | |||||
| エッジチップ | 何もない | 容量 ≤0.5mm | 容量5個,それぞれ ≤1mm | |||||
| 高強度の光による汚染 | 何もない | |||||||
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4H-Nタイプ/高純度SiCウエファー
2インチ4H型N型SiCウエファー
3インチ4H型N型SiCウエファー 4インチ4H型N型SiCウエファー 6インチ4H型N型SiCウエファー |
4H 半断熱/高純度SiCウエーファー 2インチ4H 半絶縁型シシクワフラー
3インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 4インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 6インチ4H 半絶縁型シリコン・ウェーバー |
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6H N型 SiCウエーファー
2インチ 6H N型 SiCウエファー |
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