• SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ
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SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ

SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: ZMKJ
モデル番号: 2inch SiCのウエファー

お支払配送条件:

最小注文数量: 25PCS
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーのパッケージ
受渡し時間: 2-4weeks
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 5000Pcs/Month
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: SiCの単結晶4h-N 等級: 生産の等級
Thicnkss: 0.4mm Suraface: 重なり合った
適用: ポーランド テストのため 直径: 2インチ
色: MPD: <2cm-2>
ハイライト:

6mm SICのウエファー

,

4H-NタイプSICの炭化ケイ素

,

MOS装置炭化ケイ素のウエファー

製品の説明

 

インゴット成長のための2inch 4/6inch dia50.6mm sicの種のウエファー1mmの厚さ

Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の種結晶のための単結晶(sic)の基質wafersS/Customziedようカットのsicのウエファーの生産4inchの等級4H-N 1.5mm SICのウエファー

sicの6inch SICのウエファー4H-Nのタイプ生産の等級sicのエピタキシアル ウエファーのGaNの層

 

炭化ケイ素(SiC)の水晶を見なすこと

炭化ケイ素(SiC)、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。

 SiCの適用

  • 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiN、
  • ダイオード、IGBT、MOSFET
  • 2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料(GaN/SiC)で主にLED使用されて
2inch直径の炭化ケイ素(SiC)の基質Speicfication
等級
ゼロMPDの等級
生産の等級
研究の等級
模造の等級
直径
50.6mm±0.2mm
厚さ
1000±25umか他のカスタマイズされた厚さ
ウエファーのオリエンテーション
軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5°
Micropipe密度
≤0 cm-2
≤2 cm-2
≤5 cm-2
≤30 cm-2
抵抗4H-N
0.015~0.028 Ω•cm
抵抗4/6H-SI
≥1E7 Ω·cm
第一次平たい箱
{10-10} ±5.0°か丸型
第一次平らな長さ
18.5 mm±2.0 mmか丸型
二次平らな長さ
10.0mm±2.0 mm
二次平らなオリエンテーション
上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から
端の排除
1つのmm
TTV/Bow /Warp
≤10μm/≤10μm/≤15μm
荒さ
ポーランドRa≤1 nm/CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび
どれも
1弾の割り当てられる、≤2 mm
累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm
高輝度ライトによる六角形の版
累積区域≤1%
累積区域≤1%
累積区域≤3%
高輝度ライトによるPolytype区域
どれも
累積区域≤2%
累積区域≤5%
高輝度ライトによる傷
1×wafer直径の累積長さへの3つの傷
1×wafer直径の累積長さへの5つの傷
1×wafer直径の累積長さへの5つの傷
端の破片
どれも
3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ
5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ

プロダクト表示

SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 0SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 1

SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 2
 
 
 
 
 
 
 
SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 3SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 4
SICの炭化ケイ素のウエファー4H - MOS装置2inch Dia50.6mmのためのNのタイプ 5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

私達の在庫のSiC ApplicationCatalohueの共通のサイズ

4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット

2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
3インチ4H NタイプSiCのウエファー
4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット
6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット

4HのSemi-insulating/高い純度SiCのウエファー

2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー
 
 
6H NタイプSiCのウエファー
2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット
 
2-6inchのためのCustomziedのサイズ
 


私達は電子工学、光学、光電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。
それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

 

Q:船積みおよび費用の方法は何であるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
(2)あなた自身の明白な記述があれば、大きい。
Q:支払う方法か。
(1) T/T、PayPalの西連合、MoneyGram
Alibabaおよび等の保証の支払…
(2)銀行料金:西Union≤USD1000.00)、
T/T -:t/tによる1000usdに、
Q:何が時間を提供するためにであるか。
(1)目録のために:受渡し時間は5仕事日である。
(2)カスタマイズされたプロダクトのために:受渡し時間は7から25仕事日である。量に従って。
Q:私は私の必要性に基づいてプロダクトをカスタマイズしてもいいか。
はい、私達はあなたの必要性に基づいてあなたの光学部品のための材料、指定および光学コーティングをカスタマイズしてもいい。

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