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ガリウム窒化物のウエファー

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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

ブランド名:	ZMSH
型番:	4インチのシリコン・ウェーバー
MOQ:	10個
パッケージの詳細:	共通のパッケージ
支払条件:	T/T

詳細情報

製品説明

詳細情報

起源の場所:

中国

証明:

RoHS

タイプ:

4h-n

学年:

偽物 / 研究 / 生産級

厚さ:

350 μm±25 μm

ワープ:

≤40μm

粗さ:

Ra≤1 nm

直径:

4インチ、99.5mm～100.0mm

製品説明

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust

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