|
詳細情報 |
|||
| 材料: | SiCの単結晶の4H-Nタイプ | 等級: | /Productionの模造の等級 |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.5mm | Suraface: | 磨かれる |
| 適用: | テストの忍耐 | 直径: | 60x10x0.5mmt |
| 色: | ティーの緑 | ||
| ハイライト: | カスタマイズされたSICの炭化ケイ素のウエファー,SICの炭化ケイ素の窓の部分,単結晶の炭化ケイ素のウエファー |
||
製品の説明
Customzied size/60x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質wafersS/CustomziedようにカットのsicのウエファーSiCの窓/レンズ/ガラス
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm | = 2.61無し | = 2.60無し |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| 熱伝導性（Semi-insulating） | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
高い純度4inchの直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット 2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
6H NタイプSiCのウエファー 2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2-6inchのためのCustomziedのサイズ |
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
私達の関係プロダクト
サファイアのwafer&レンズLiTaO3水晶SiCのウエファーLaAlO3/SrTiO3/ウエファーのルビー色の球