高精度の光学部品の顧客用パラメータ リスト

力装置企業のSiCの適用

ケイ素装置によって比較されて、炭化ケイ素（SiC）力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。SiC力装置のエネルギー損失はSi装置の50%だけであり、熱生成はまたケイ素装置の50%だけ、SiC持っているより高い電流密度をである。同じパワー レベルで、SiC力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、SiC力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。

3つのタイプのSiC力のダイオードがある:ショットキー ダイオード（SBD）、ピン・ダイオードおよび接続点障壁はショットキー ダイオード（JBS）を制御した。ショットキー障壁のために、SBDにより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。SiC SBDの出現は250Vからの1200VにSBDの適用範囲を拡大した。さらに、高温の特徴は室温から175 °によい、逆の漏出流れ増加しないC。3kVの上の整流器の適用分野では、SiC PiNおよびSiC JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度の、小型および軽い重量による多くの関心を引いた。

SiC力MOSFET装置に理想的なゲートの抵抗、高速転換の性能が、低いオン抵抗および安定性が高いある。それは300V以下力装置の分野の優先する装置である。10kVの妨害電圧の炭化ケイ素MOSFETが首尾よく開発されたレポートがある。研究者はSiCのMOSFETsが3kV - 5kVの分野の有利な位置を占めることを信じる。

SiCはゲートの両極トランジスター（SiC BJT、SiC IGBT）を絶縁し、SiCのサイリスタ（SiCのサイリスタ）、12のkVの妨害電圧のSiC PタイプIGBTの装置によい前方現在の機能がある。Siの両極トランジスターによって比較されて、SiCの両極トランジスターに低が損失およびより低いturn-on電圧低下を転換する20-50倍ある。SiC BJTはエピタキシアル エミッターBJTに主に分けられ、イオン・インプランテーションのエミッターBJTは10-50の間に、典型的な現在の利益ある。