8Inch 200mm 4H-N SiCのウエファーの伝導性の模造の等級のNタイプの研究

炭化ケイ素のウエファーはショットキー ダイオード、金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ、接合型電界効果トランジスタ、バイポーラ トランジスタ、サイリスタ、turn-offサイリスタおよび絶縁されたゲートのbipolaの生産で主に使用される

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半導体デバイスが縮まり続ける間、ウエファーが前部および裏側両方の高い表面質を持っていることはますます重要になっている。現在これらのウエファーはmicroelectromechanicalシステム（MEMS）、堅い平坦の条件のウエファーの結合、シリコン・オン・インシュレータ（SOI）の製作および適用で共通である。マイクロエレクトロニクスは半導体工業の進化を認め、すべての顧客の要求のための長期解決を見つけることに努力している。

二重側面の大きい在庫は100mmから300mmまで及ぶすべてのウエファーの直径のウエファーを磨いた。あなたの指定が私達の目録で利用できなければ、私達は独特な指定に合うために注文の製造のウエファーが可能である多数の売り手との長期関係を確立した。二重側面はウエファーを半導体工業で一般的なケイ素、ガラスおよび他の材料で利用できる磨いた。
カスタマイズされたさいの目に切り、磨くことはあなたの条件に従ってまた利用できる。