• SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ
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商品の詳細:

ブランド名: ZMSH
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ハイライト:

生産グレードのSIC平方基板へ

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10×10 SIC 平方基板

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350um SIC 平方基板

製品の説明

SIC 平方基板 5×5 10×10 350um オフ軸:2.0°-4.0°向いて 生産グレード

 

SICの平方基板の抽象

 

シリコンカービッド (SiC) の方形基板は,特に高電力および高周波アプリケーションにおける先進的な半導体装置における重要な材料です.高断熱電圧特に厳しい環境では理想的な選択です 電気機器は,これらの基板の正方形は,装置製造における効率的な使用を容易にし,さまざまな加工機器との互換性を保証します.さらに,軸外角が2.0°から4.0°のSiC基質は,マイクロパイプや外転などの欠陥を減らすことで,上軸層の質を改善するために広く使用されています.高性能ダイオードの開発にも重要な役割を果たしていますエネルギー効率の高いシステムへの需要が増加し続けているため,SiC 方形基板は,電気自動車などの分野で有望なソリューションを提供します現在進行中の研究は,コスト削減と材料性能向上のためにSiC基板の生産を最適化することに焦点を当てています.この要約は,SiC正方形基板の重要性を概説し,現代の半導体技術の進歩におけるその役割を強調します.

SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ 0

SIC 平方基板の特性

シリコンカービッド (SiC) の四角基板の性質は,半導体アプリケーションでの性能に不可欠である.主要な特性には以下のものがある:

  1. 広帯域 (3.26 eV): SiC は,シリコンよりもはるかに広い帯域があります. これにより,性能を低下させずに,より高い温度,電圧,周波数で動作できます.

  2. 高熱伝導性 (3.7 W/cm·K): SiC の優れた熱伝導性は高熱量アプリケーションに最適になる効果のある熱散を可能にします.

  3. 高断裂電場 (3 MV/cm): SiCは,高電圧装置にとって不可欠な siliciumよりも高い電場に耐えるため,故障のリスクを軽減し,効率を向上させる.

  4. 高電子移動性 (950cm2/V·s):シリコンより少し低いものの,SiCは電子の移動性が良好であり,電子機器のより高速なスイッチ速度を可能にします.

  5. メカニカル硬さ: SiCはモース硬度約9の非常に硬い材料です5耐磨性が高く,極端な条件下で構造を整えることができる.

  6. 化学的安定性: SiC は 化学 的 に 惰性 で,酸化 や 腐食 に 耐える もの で,厳しい 化学 条件 や 環境 に 適し な もの です.

  7. 軸外角:多くのSiC基板は,小管や結晶構造の脱位などの欠陥を軽減するために,軸外切断 (例えば2.0°-4.0°) を有します.

  8. 欠陥密度が低い: 高品質のSiC基板は,低密度な結晶欠陥を有し,電子機器の性能と信頼性を向上させる.

これらの性質により,SiCの平方基板は,電動電子,電気自動車,電信,再生可能エネルギーシステム,高効率と耐久性が不可欠な場合.

主な性能パラメータ
製品名
シリコンカルビッド基板,シリコンカルビッド・ウェーバー,SiC・ウェーバー,SiC・ウェーバー,シリコンカルビッド基板
成長方法
MOCVD
結晶構造
6H,4H
格子パラメータ
6H (a=3.073 Å c=15.117 Å)
4H ((a=3.076 Å c=10.053 Å)
積み重ねの順序
6H:ABCACB
4H:ABCB
グレード
生産級 研究級 ダミー級
導電性タイプ
N型または半断熱性
バンドギャップ
3.23 eV
硬さ
9.2 (モハ)
熱伝導性 @300K
3.2~4.9 W/cm.K
ダイレクトリコンスタンツ
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=1033
耐性
4H-SiC-N:0.015~0.028 Ω·cm
6H-SiC-N:0.02〜0.1 Ω·cm
4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm
梱包
クラス100 クリーンバッグ,クラス1000 クリーンルーム

 

SICの正方形基板の実際の写真

SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ 1SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ 2

SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ 3SIC Square Substrate 5×5 10×10 350um 軸外:2.0°-4.0° 生産グレードへ 4

SIC 平方基板の実際の用途

シリコンカービッド (SiC) の方形基板は,主に特殊な熱,電気,機械特性により,さまざまなハイテク産業で現実の世界での応用を見つけました.重要な用途には:

1.パワーエレクトロニクス

  • 高功率装置:SiC四角基板は,MOSFET,IGBT,およびショットキーダイオードなどの高電力装置の製造に使用されます.これらの装置は,電力変換および管理システムにおいて不可欠です.特に高効率な地域では産業用電源や太陽光変圧機などにおいて 信頼性や性能が重要です
  • 電気自動車 (EV):SiCベースの電源電子機器は,搭載された充電器,インバーター,パワートレイン部品を含む電気自動車 (EV) の駆動システムにますます採用されています.効率の向上と熱発生の減少により,より軽いよりコンパクトなシステムで より良いエネルギー利用です

2.再生可能エネルギー:

  • ソーラーインバーター:SiC基板は太陽光発電システムの出力を最適化するために不可欠な,より効率的なDCからACへのエネルギー変換を可能にすることで,太陽光発電のインバーターの性能を改善します.
  • 風力タービン:SiCベースの電源モジュールは,高ストレス条件でも効率的で信頼性の高い動作を保証する電力変換を管理するために風力タービンで使用されます.

3.電気通信:

  • 5Gインフラストラクチャ:SiC基板は5Gネットワークの展開をサポートする高周波高電力RFデバイスで使用されています.大幅な損失を伴わずに 高周波を処理する能力は 次世代の通信システムにとって理想的です.

4.航空宇宙と防衛

  • レーダーシステム:SiC基質は高周波操作と電源処理能力が不可欠な高度なレーダーシステムで使用されています材料 の 頑丈 性 は,極端 な 温度 や 苛酷 な 環境 に 耐える 性能 を も 保証 し ます.
  • 衛星および宇宙アプリケーション:SiCの熱安定性と放射線抵抗性により,材料が極端な条件にさらされる衛星やその他の宇宙用途に適しています.

5.工業用:

  • モータードライブ:SiC基板は工業機械のモータードライブに組み込まれ,効率を向上させ,エネルギー消費を削減し,特にロボットや自動化などの高需要アプリケーションに組み込まれています.
  • HVACシステム:SiCベースの電源電子機器は,エネルギー効率を向上させ,運用コストを削減するために,HVACシステムでも使用されています.

6.医療機器:

  • 画像と診断ツール:SiC基質は,MRI機器やCTスキャナーなどの先進医療画像機器の高性能ニーズに貢献し,精密で効率的な電力管理が可能になります.

7.鉄道輸送:

  • 電動列車:SiC技術は 電動列車の牽引システムで使用され,高負荷に対応できるコンパクトで効率的な電源システムの必要性が極めて重要です.SiCベースのインバーターと変換機は,より効率的で速い電車に貢献します.

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これらのアプリケーションは,様々な産業における高性能でエネルギー効率の良いソリューションを実現するために,SiC平方基板の汎用性と影響を示しています.

 

Q&A

Q:SiC基質とは何か?

 

A: その通りシリコン・カービッド (SiC) ワッフルと基板は半導体技術で使用されるシリコンカービッドから作られた特殊材料高熱伝導性,優れた機械的強度,そして広い帯域で知られる化合物です.

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