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接触: Mr. Wang
電話番号: +8615801942596
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  • 中国 SOI・ウェーファー シリコン・オン・イソレーター・ウェーファー ドーパント P BOX 層 0.4-3 基板方向性 100 111

    SOI・ウェーファー シリコン・オン・イソレーター・ウェーファー ドーパント P BOX 層 0.4-3 基板方向性 100 111

    ベストプライス
  • 中国 SOI ワッファー シリコンオン 絶縁器 100mm 150mm P型 ドーパント B装置 220 抵抗力: 8.5-11.5 オーム・センチメートル

    SOI ワッファー シリコンオン 絶縁器 100mm 150mm P型 ドーパント B装置 220 抵抗力: 8.5-11.5 オーム・センチメートル

    ベストプライス
  • 中国 シリコン・オン・アイソレーターSOI・ウェーファー 6", 2.5"m (Pドーピング) + 1.0 SiO2 + 625um Si (P型/ボロンドーピング)

    シリコン・オン・アイソレーターSOI・ウェーファー 6", 2.5"m (Pドーピング) + 1.0 SiO2 + 625um Si (P型/ボロンドーピング)

    ベストプライス
  • 中国 シリコン・ウェーファー CZ方向性111 抵抗性: 1-10 (ohm.cm) シングルサイドまたはダブルサイド・ポーリング

    シリコン・ウェーファー CZ方向性111 抵抗性: 1-10 (ohm.cm) シングルサイドまたはダブルサイド・ポーリング

    ベストプライス
  • 中国 シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ

    シリコンウエファー 4インチ厚さ 500+/-20 抵抗性 1-10 オーム・cm 方向性100 双面ポーチ

    ベストプライス
  • 中国 3インチインプ インディアム・リン酸塩基板 N型半導体 VGF成長方法 111 100 方向性

    3インチインプ インディアム・リン酸塩基板 N型半導体 VGF成長方法 111 100 方向性

    ベストプライス
  • 中国 エピレディ 4インチ インP ウェーファー N型 P型 EPF<1000cm^2 厚さ 325mm±50mm

    エピレディ 4インチ インP ウェーファー N型 P型 EPF<1000cm^2 厚さ 325mm±50mm

    ベストプライス
  • 中国 シングルクリスタルシ・ウェーファー 電子機器 基板 フォトリトグラフィー 層 2&quot;3&quot;4&quot;6&quot;8&quot;

    シングルクリスタルシ・ウェーファー 電子機器 基板 フォトリトグラフィー 層 2"3"4"6"8"

    ベストプライス
  • 中国 高純度シリコン・ウェーファー伝導性 太陽電池 パワー半導体装置

    高純度シリコン・ウェーファー伝導性 太陽電池 パワー半導体装置

    ベストプライス
  • 中国 4 インチ 6 インチ 8 インチ SOI ウェーファー CMOS 3 層構造と互換性

    4 インチ 6 インチ 8 インチ SOI ウェーファー CMOS 3 層構造と互換性

    ベストプライス
  • 中国 熱酸化物層 SiO2 ウェーファー厚さ 20um MEMS 光通信システム

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    ベストプライス
  • 中国 6インチ 8インチ SIO2 シリコン・ダイオキシド 薄膜厚さ 10um-25um 表面微加工

    6インチ 8インチ SIO2 シリコン・ダイオキシド 薄膜厚さ 10um-25um 表面微加工

    ベストプライス
  • 中国 高純度シリコンウェーファー 高熱伝導性 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ

    高純度シリコンウェーファー 高熱伝導性 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ

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  • 中国 ガリウム・フォスフィード単結晶方向化 (111)A 0°±0.2 太陽電池

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    ベストプライス
  • 中国 2インチGAPウェッファー OF位置/長さEJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD移動性 Min 100

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